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S71PL129JB0BAW9U0 参数 Datasheet PDF下载

S71PL129JB0BAW9U0图片预览
型号: S71PL129JB0BAW9U0
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内容描述: 堆叠式多芯片产品( MCP )闪存 [Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 149 页 / 2994 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
开始
写程序
命令序列
嵌入式
节目
算法
进行中
数据轮询
从制度
验证数据?
No
是的
No
增量地址
最后一个地址?
是的
程序设计
已完成
注意:
SEE
表12
对于程序命令序列。
图4.程序操作
芯片擦除命令序列
芯片擦除是六总线周期的操作。该芯片擦除命令序列已以启动
通过写入两个解锁周期,接着一个建立命令tiated 。两
解锁额外的写周期再其次是通过芯片擦除命令,
这反过来又调用嵌入式擦除算法。该设备不
要求
在擦除之前的系统进行预编程。嵌入式擦除算法自动
matically preprograms和验证存储器的全部为全零的数据图案
之前的电擦除。该系统不要求提供任何控制或时序
在进行这些操作时英格斯。
表12
示的地址和数据要求
该芯片擦除命令序列。
当嵌入式擦除算法完成,该银行返回到读
方式和地址都不再锁定。该系统可确定该状态
通过使用DQ7的擦除操作, DQ6 , DQ2或RY / BY # 。请参阅
“写OP-
关合作状态“
对这些状态位的信息,第56页。
芯片擦除操作过程中写入任何命令都会被忽略。
需要注意的是硒
固化硅业,自选和CFI功能不可用时,
[编程/擦除]操作正在进行。
但是,请注意,
硬件复位
立即终止擦除操作。如果发生这种情况,该芯片擦除的COM
命令序列应该重新开始,一旦该银行已恢复阅读
阵列数据,以确保数据的完整性。
图5
示的算法来执行擦除操作。见
擦除/编程
操作
在表
AC特性
为参数,并
图16
48
S29PL129J的MCP
2004年S29PL129J_MCP_00_A0 6月4日,