SSM9926GEO 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSM9926GEO
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETS]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 144 K
品牌：	SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]

SSM9926GEO

1000

f=1.0MHz

=4.6A

, Gate to Source Voltage (V)

=10V

=15V

=20V

C (pF)

100

Ciss

Coss

Crss

, Total Gate Charge (nC)

(V)

Fig 9. Gate Charge Characteristics

Fig 10. Typical Capacitance Characteristics

100

1.6

1.4

1.2

GS(th)

(V)

=150

=25

(A)

0.8

0.6

0.1

0.4

0.01

0.4

0.8

1.2

1.6

0.2

-50

100

150

Junction Temperature ( C )

(V)

Fig 11. Forward Characteristic of

Reverse Diode

Fig 12. Gate Threshold Voltage vs.

Junction Temperature

Rev.2.10 1/29/2005

www.SiliconStandard.com

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