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SSM9926GM 参数 Datasheet PDF下载

SSM9926GM图片预览
型号: SSM9926GM
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内容描述: 双N沟道增强型功率MOSFET [Dual N-channel Enhancement-mode Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 525 K
品牌: SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]
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SSM9926GM
25
20
T
C
=25
o
C
20
T
C
=150
o
C
4.5V
4.0V
3.5V
16
4.5V
4.0V
3.5V
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
15
12
3.0V
8
10
3.0V
2.5V
4
5
2.5V
V
GS
= 2 .0V
2.0V
0
0
0
0.4
0.8
1.2
V
GS
= 1 . 5 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
50
1.8
I
D
=6A
V
GS
=2.5V
40
1.5
I
D
=6A
V
GS
=4.5V
归一化ř
DS ( ON)
4.5V
R
DS ( ON)
(毫欧)
30
1.2
20
0.9
10
-50
0
50
100
150
0.6
-50
0
50
100
150
T
j
,结温(
o
C)
T
j
,结温(
o
C)
图。R
DS ( ON)
- 结温
图4.归一导通电阻
与温度的关系
2006年3月16日Rev.3.01
www.SiliconStandard.com
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