SSM9926GM 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSM9926GM
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内容描述：	双N沟道增强型功率MOSFET [Dual N-channel Enhancement-mode Power MOSFETs]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 525 K
品牌：	SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]

SSM9926GM

10000

f=1.0MHz

=10V

，门源电压（ V）

=15V

=20V

C（ pF）的

西塞

1000

科斯

CRSS

100

，总栅极电荷（ NC）

(V)

图9.典型栅极电荷与V

图10.典型的电容与V

1.2

=150

=25

0.95

(V)

如果（ A）

0.7

0.45

0.1

0.4

0.8

1.2

1.6

0.2

-50

100

150

(V)

，结温（

C )

图11.正向特性

反向二极管

图12.栅极阈值电压与

结温

2006年3月16日Rev.3.01

www.SiliconStandard.com

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