1兆位页模式EEPROM
SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
T
ABLE
5 ： 29EE010 DC Ø
操作摄像机
C
极特
V
CC
= 5V±10%
符号参数
I
CC
电源电流
读
写
待机V
CC
当前
（ TTL输入）
待机V
CC
当前
（ CMOS输入）
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
超高压对于A
9
超高压电流
一
9
民
范围
最大
30
50
3
50
1
10
0.8
2.0
0.4
2.4
11.6
12.4
100
单位
mA
mA
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
µA
测试条件
CE ＃ = OE ＃ = V
白细胞介素，
WE＃ = V
IH
，所有I / O开放，
地址输入= V
IL
/V
IH
，在f = 1 / T的
RC
分，
V
CC
=V
CC
最大
CE＃ = WE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH ，
V
CC
=V
CC
马克斯。
CE ＃ = OE ＃ = WE＃ = V
IH ，
V
CC
=V
CC
马克斯。
CE ＃ = OE ＃ = WE＃ = V
CC
-0.3V.
V
CC
= V
CC
马克斯。
V
IN
= GND到V
CC
, V
CC
= V
CC
马克斯。
V
OUT
= GND到V
CC
, V
CC
= V
CC
马克斯。
V
CC
= V
CC
马克斯。
V
CC
= V
CC
马克斯。
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
= V
CC
分钟。
I
OH
= -400μA ，V
CC
= V
CC
分钟。
CE ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
CE ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
,
A
9
= V
H
马克斯。
304 PGM T5.0
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
H
I
H
T
ABLE
6 ： 29LE010 / 29VE010 DC Ø
操作摄像机
C
极特
V
CC
= 3.0-3.6
为
29LE010 ，V
CC
= 2.7-3.6
为
29VE010
范围
符号参数
民
最大
单位
测试条件
I
CC
电源电流
CE ＃ = OE ＃ = V
白细胞介素，
WE＃ = V
IH
，所有I / O开放，
读
12
mA
地址输入= V
IL
/V
IH
，在f = 1 / T的
RC
分，
V
CC
=V
CC
最大
写
15
mA
CE＃ = WE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH ，
V
CC
=V
CC
马克斯。
I
SB1
待机V
CC
当前
1
mA
CE ＃ = OE ＃ = WE＃ = V
IH ，
V
CC
=V
CC
马克斯。
（ TTL输入）
I
SB2
待机V
CC
当前
15
µA
CE ＃ = OE ＃ = WE＃ = V
CC
-0.3V.
（ CMOS输入）
V
CC
= V
CC
马克斯。
I
LI
输入漏电流
1
µA
V
IN
= GND到V
CC
, V
CC
= V
CC
马克斯。
I
LO
输出漏电流
10
µA
V
OUT
= GND到V
CC
, V
CC
= V
CC
马克斯。
V
IL
输入低电压
0.8
V
V
CC
= V
CC
马克斯。
V
IH
输入高电压
2.0
V
V
CC
= V
CC
马克斯。
V
OL
输出低电压
0.4
V
I
OL
= 100 μA ，V
CC
= V
CC
分钟。
V
OH
输出高电压
2.4
V
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= V
CC
分钟。
超高压对于A
9
11.6
12.4
V
CE ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
V
H
I
H
超高压电流
100
µA
CE ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
,
一
9
A
9
= V
H
马克斯。
304 PGM T6.0
©1998硅存储技术公司
8
304-04 12/97
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
