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SST29EE010-120-4C-NH 参数 Datasheet PDF下载

SST29EE010-120-4C-NH图片预览
型号: SST29EE010-120-4C-NH
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内容描述: 1兆位( 128K ×8 )页面模式的EEPROM [1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 27 页 / 883 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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1兆位页模式EEPROM
SST29EE010 , SST29LE010 , SST29VE010
T
ABLE
3: O
PERATION
M
副执行秘书办公室
S
选举
模式
页写
待机
写禁止
写禁止
软件芯片擦除
产品标识
硬件模式
软件模式
SDP使能模式
SDP禁止模式
CE#
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
OE #
V
IL
V
IH
X
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
WE#
V
IH
V
IL
X
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
DQ
D
OUT
D
IN
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
D
IN
制造商代码( BF )
设备代码(见注解)
地址
A
IN
A
IN
X
X
X
A
IN
见表4
A
16
- A
1
= V
IL
, A
9
= V
H
, A
0
= V
IL
A
16
- A
1
= V
IL
, A
9
= V
H
, A
0
= V
IH
见表4
见表4
见表4
304 PGM T3.0
T
ABLE
4: S
OFTWARE
C
OMMAND
C
副执行秘书办公室
命令
顺序
软件数据
保护启用
&页写
软件数据
保护禁用
软件芯片
抹去
软件ID进入
软件ID退出
第一巴士
写周期
ADDR
(1)
数据
5555H AAH
第二巴士
写周期
ADDR
(1)
数据
2AAAH 55H
3公交车
写周期
ADDR
(1)
数据
5555H A0H
4公交车
写周期
ADDR
(1)
数据
ADDR
(2)
数据
第五公交
写周期
ADDR
(1)
数据
第六届巴士
写周期
ADDR
(1)
数据
5555H
5555H
5555H
5555H
AAH
AAH
AAH
AAH
AAH
2AAAH
2AAAH
2AAAH
2AAAH
2AAAH
55H
55H
55H
55H
55H
5555H
5555H
5555H
5555H
5555H
80H
80H
90H
F0H
80H
5555H
5555H
AAH
AAH
2AAAH
2AAAH
55H
55H
5555H
5555H
20H
10H
备用软件5555H
ID进入
(3)
注意事项:
(1)
(2)
5555H
AAH
2AAAH
55H
5555H
60H
304 PGM T4.1
地址格式的
14
-A
0
(十六进制) ,地址一个
15
AND A
16
是一个“不关心” 。
页写由装载多达128字节(A
6
- A
0
).
(3)
备用6字节的软件产品-ID命令代码
(4)
软件芯片擦除功能不受工业温度部分支撑。
请联系SST ,如果您需要此功能的工业级温度的一部分。
软件产品ID命令代码注释:
1.用
14
-A
1
= 0; SST制造商代码= BFH ,读有A
0
= 0,
29EE010器件代码= 07H ,读有A
0
= 1.
29LE010 / 29VE010器件代码= 08H ,读有A
0
= 1.
2.设备不停留在软件产品ID模式,如果断电。
©1998硅存储技术公司
6
304-04 12/97