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    SST29EE010-120-4C-NH 参数 Datasheet PDF下载

    SST29EE010-120-4C-NH图片预览
    型号： SST29EE010-120-4C-NH
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1兆位（ 128K ×8 ）页面模式的EEPROM [1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM]
    分类和应用： 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
    文件页数/大小： 27 页 / 883 K
    品牌： SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
     浏览型号SST29EE010-120-4C-NH的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SST29EE010-120-4C-NH的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SST29EE010-120-4C-NH的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SST29EE010-120-4C-NH的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SST29EE010-120-4C-NH的Datasheet PDF文件第10页浏览型号SST29EE010-120-4C-NH的Datasheet PDF文件第11页浏览型号SST29EE010-120-4C-NH的Datasheet PDF文件第12页浏览型号SST29EE010-120-4C-NH的Datasheet PDF文件第13页  
    1兆位页模式EEPROM
    SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
    T
    ABLE
    7: P
    OWER
    -
    UP
    T
    IMINGS
    符号
    T
    PU-READ(1)
    T
    PU-WRITE(1)
    参数
    上电到读操作
    上电到写操作
    最大
    100
    5
    单位
    µs
    ms
    304 PGM T7.0
    1
    2
    3
    304 PGM T8.0
    T
    ABLE
    8: C
    APACITANCE
    (T
    a
    = 25 ° C，F = 1MHz时，其他引脚开路）
    参数
    C
    I/O(1)
    C
    IN(1)
    注意：
    (1)
    这
    描述
    I / O引脚的电容
    输入电容
    测试条件
    V
    I / O =
    0V
    V
    IN =
    0V
    最大
    12 pF的
    6 pF的
    4
    5
    参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
    T
    ABLE
    9: R
    ELIABILITY
    C
    极特
    符号
    参数
    N
    结束
    T
    DR(1)
    V
    ZAP_HBM(1)
    V
    ZAP_MM(1)
    I
    LTH(1)
    注意：
    (1)
    这
    (2)
    SEE
    最小规格
    10,000
    (2)
    100
    1000
    200
    100
    单位
    周期
    岁月
    伏
    伏
    mA
    测试方法
    MIL -STD -883方法1033
    JEDEC标准A103
    JEDEC标准A114
    JEDEC标准A115
    JEDEC标准78
    304 PGM T9.1
    6
    7
    8
    9
    10
    11
    12
    13
    14
    15
    16
    耐力
    数据保留
    ESD敏感性
    人体模型
    ESD敏感性
    机器型号
    闭锁
    参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
    订购了所需的类型信息。
    ©1998硅存储技术公司
    9
    304-04 12/97

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