1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
数据表
读
在SST29EE / LE / VE010的读操作是CON-
通过CE＃和OE ＃受控，都具有很低的系统
以获得从所述输出数据。 CE＃用于器件
选择。当CE＃为高电平时，芯片被取消选中，
只有待机功耗。 OE＃为输出控制
并用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线
处于高阻抗状态，当CE＃或OE ＃为高电平。
请参考更多详细信息的读周期时序图
由一个特定的3字节装入序列，允许
写选定的页面，将离开SST29EE /
LE / VE010保护的页面，写结尾。该
页面加载周期由负载1〜 128个字节的数据
到页缓冲器。内部写周期包括的
T
BLCO
超时和写入定时器操作。在
写操作，唯一有效的读操作是数据＃投票和
触发位。
页面 - 写操作允许多达128的装载
数据的字节数进SST29EE的页缓冲器/ LE /
VE010前内部写周期的开始。能很好地协同
荷兰国际集团的内部写入周期中，所有的数据在页面缓冲器是
同时被写入到存储器阵列。因此，该
SST29EE / LE / VE010的页面写入功能，使整个
存储将要写入在低至5秒。在
内部写周期中，主机可以自由地执行其他
的任务，比如抓取从在系的其它位置数据
TEM成立写入到下一个页面。在每一个页面，写
被加载到页缓冲器的操作，所有的字节
必须具有相同的页面地址，即甲
7
至A
16
。任何
字节不加载用户数据将被写入FFH 。
请参阅图5和图6为页 - 写周期时序dia-
克。如果完成了三字节的SDP负载的后
序或初始字节负载周期，主机加载一个仲
一个字节的负载周期时间内OND字节到页缓冲器
(T
BLC
）为100μs时， SST29EE / LE / VE010会留在
页面加载周期。附加的字节，然后装入次连续
tively 。页面加载周期将在没有额外终止
tional字节装入内200 μs的页缓冲器
(T
BLCO
）从最后的字节装载周期，也就是说，不存在后续的
WE＃或CE ＃高到低在最后一个上升沿转变
的WE＃或CE ＃ 。在页缓冲器中的数据可以通过改变
随后的字节负载循环。可以在页面加载阶段
无限期地继续下去，只要主机继续加载
为100μs的字节装载周期时间内的设备。该
页被加载是由页地址确定
的最后一个字节加载。
写
本页面写入到SST29EE / LE / VE010要经常
采用JEDEC标准的软件数据保护（ SDP ）
3字节的命令序列。该SST29EE / LE / VE010
包含可选的JEDEC核准的软件数据亲
tection方案。 SST建议SDP永远是
使能，由此，写入操作的描述将
利用使能的SDP格式进行说明。三字节
SDP启用和SDP写命令是相同的;
因此，任何时候一个SDP的Write指令发出后，软
洁具数据保护，自动保证。第一
时间的三字节的SDP给出命令，该设备
成为SDP启用。随后发行的同
命令绕过该页面作为数据保护
写的。在所希望的页，写结束时，整个
设备仍然受保护。有关更多说明，
请参阅应用笔记，
正确使用
JEDEC标准软件数据保护
和
保护
对无意识使用单电源时
供应闪存。
的写操作包括三个步骤。步骤1是
软件数据保护3字节装入序列。
步骤2是字节负载周期的页缓冲器
SST29EE / LE / VE010 。步骤1和步骤2使用相同的时间
对于这两种操作。第3步是内部控制的写
周期为写入页缓冲器加载到所述数据
存储器阵列为非易失性存储。期间都在SDP
3字节装入序列和字节负载周期内，
地址是由在CE＃的下降沿锁存或
WE＃ ，最后的为准。该数据由利培锁存
荷兰国际集团的CE＃或WE＃边沿，以先到为准。该
内部写周期是通过T启动
BLCO
之后，定时器
上升WE＃或CE ＃ ，以先到者为准的边缘。该
写周期，一旦启动，将继续完成，典型
美云在5毫秒。参见图5和图6为WE＃和CE ＃
控制页面 - 写周期的时序图和图
写操作有三个功能循环：该软
洁具数据保护负载序列，页面加载的过程，
和内部写周期。该软件数据保护
©2001硅存储技术公司
软件芯片擦除
该SST29EE / LE / VE010提供了全片擦除操作，
这使用户可以同时清除整个
存储器阵列的“1”状态。这是有用的，当整个
设备必须快速擦除。
通过使用启动软件芯片擦除操作
具体为6个字节装入序列。装载序列后，
该器件进入内部定时的周期相似，
写周期。在擦除操作，唯一有效的读
是触发位。见装载序列表4 ，图10
时序图，图19为流程图。
S71061-07-000 6/01
304
2
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
