512千位/ 1兆位多用途闪存
SST39SF512 / SST39SF010
数据表
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
芯片擦除操作
该SST39SF512 / 010提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
在“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
字节与软件数据保护指令序列
在过去的芯片擦除命令（ 10H ）地址为5555H
字节序列。擦除操作开始上升
第六WE ＃或CE ＃ ，先到为准边缘。能很好地协同
荷兰国际集团的擦除操作，唯一有效的阅读是翻转位或
数据＃投票。请参阅表4的命令序列，
图。在编写过程中的任何命令，芯片擦除操作
化都将被忽略。
读
在SST39SF512 / 010的读操作控制
通过CE＃和OE ＃ ，既要低，以便系统
获得的输出数据。 CE＃用于设备selec-
化。当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只
待机功耗。 OE＃为输出控制和
用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线是在
高阻抗状态，当CE＃或OE ＃为高电平。
请参考更多详细信息的读周期时序图
字节编程操作
该SST39SF512 / 010号被编程在逐字节
的基础。在编程操作包括三个步骤。该
第一步是软件数据的三字节序列负载
保护。第二步骤是要加载的字节地址和
字节的数据。在字节编程操作，
地址锁存，无论是CE＃下降沿或
WE＃ ，最后的为准。该数据被锁存的利培
荷兰国际集团的CE＃或WE＃边沿，以先到为准。该
第三步是内部编程操作，这是initi-
后ated的第4个WE ＃或CE ＃ ，上升沿，而─
先出现。编程操作，一旦启动，将
完成，在30微秒。参见图5和6为WE＃
和CE ＃控制的编程操作时序图
图15的流程图。在程序操作
化，唯一有效的读操作是数据＃查询和翻转位。
在内部编程操作，主机可以自由地
执行其他任务。在写任何命令
内部编程操作将被忽略。
写操作状态检测
该SST39SF512 / 010提供了两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates编程或擦除周期。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
扇区擦除操作
扇区擦除操作可以使系统删除
设备上的一个扇区到扇区的基础。部门架构
是基于4K字节均匀的扇区大小。在扇区
通过执行一个六字节的COM启动擦除操作
软件数据保护与命令装载序列
扇区擦除命令（ 30H）和扇区地址（SA）中
最后一个总线周期。扇区地址被锁存的下降沿继续
荷兰国际集团的6个WE＃脉冲的边缘，而命令（ 30H ）
被锁在6个WE＃脉冲的上升沿。该
第六WE ＃脉冲后内部擦除操作开始。
擦除的结束可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。参见图9为计时
波形。在扇区中写入任何命令
擦除操作将被忽略。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39SF512 / 010顷在内部编程
操作中，任何尝试读取DQ
7
将产生的COM
二进制补码的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。该装置是再
准备下一次操作。在内部擦除操作
化，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃）脉冲的程序操作。对于部门或
芯片擦除，数据＃查询后上升沿有效
第六WE ＃ （或CE ＃）脉冲。参见图7为数据＃投票
时序图和图16的流程图。
©2001硅存储技术公司
S71149-03-000 4/01
394
2
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
