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SST39SF010-90-4I-NH 参数 Datasheet PDF下载

SST39SF010-90-4I-NH图片预览
型号: SST39SF010-90-4I-NH
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内容描述: 512千位/ 1兆位( X8 )多用途闪存 [512 Kbit / 1 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 22 页 / 268 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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512千位/ 1兆位多用途闪存
SST39SF512 / SST39SF010
数据表
切换位( DQ
6
)
在内部编程或擦除操作,有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变0
和1 ,即,切换0和1之间的翻转位将
以“ 1”。当内部编程或擦除操作
化完成后,触发将停止。该装置是再
准备下一次操作。切换位后有效
第四WE # (或CE # )脉冲程序上升沿能操作
通报BULLETIN 。对于部门或芯片擦除后,触发位是有效的
6个WE# (或CE # )脉冲的上升沿。参见图8
对于翻转位时序图和图16的流程图。
产品标识
该产品识别方式识别该设备作为
SST39SF512和SST39SF010和制造商为
SST 。这种模式可以由软件操作来访问。
用户可以使用该软件产品标识操作
识别部分(即,使用的设备ID ),当使用
多个制造商在同一个插座上。有关详细信息,请参阅
表3用于硬件操作或表4的软件能操作
ATION ,图11为软件ID进入和读取时序
图,图17为ID输入命令
程序流程图。
表1 :P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39LF/VF512
0001H
0001H
B4H
B5H
T1.1 394
数据保护
该SST39SF512 / 010同时提供硬件和软件
洁具功能,以防止意外的非易失性数据
写道。
数据
BFH
0000H
硬件数据保护
噪声/毛刺保护: WE#或CE #脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测:写操作
抑制当V
DD
小于2.5V 。
写禁止模式:强制OE #低, CE #高或WE#
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
SST39LF/VF010
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中,软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列,它返回到设备的读操作。
请注意,该软件复位命令被忽略
在内部编程或擦除操作。见表4
软件命令代码,图12为时序波形
表格和图17为一个流程图。
软件数据保护( SDP )
该SST39SF512 / 010提供了JEDEC核准软
洁具的数据保护方案的所有数据修改操作
系统蒸发散,即编程和擦除。任何编程操作
需要包含的一系列的三字节序列。
三个字节装入序列用于启动副校
克操作,提供从不经意的最佳保护
耳鼻喉科写操作,例如,在系统上电或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节装入序列。该SST39SF512设备
与软件数据保护永久发货
启用。请参阅表4为特定的软件命令
码。在SDP命令序列,无效的COM
指令都会中止设备读取模式, T内
RC
.
©2001硅存储技术公司
S71149-03-000 4/01
394
3