ST6006 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ST6006
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内容描述：	N沟道阳城模式MOSFET [N Channel Enchancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 201 K
品牌：	STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]

N沟道阳城模式MOSFET

60V/60A

订购信息

产品型号

ST6006T220TG

ST6006T220RG

包

TO-220-3L

TO-263-2L

ST6006S / ST6006

最热

ST6006D

ST6006

ABSOULTE最大额定值

（ TA = 25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（ TJ = 150

℃

) T

=25℃

=70

℃

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

Storgae温度范围

热阻，结到环境

=25℃

=70

℃

符号

DSS

GSS

英镑

典型

+/-20

120

3.7

150

-55/150

62.5

单位

℃

STANSON科技

120宾利广场，加州山景城94040 USA

电话：（ 650 ） 9389294传真：（ 650 ） 9389295

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