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ST6006 参数 Datasheet PDF下载

ST6006图片预览
型号: ST6006
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内容描述: N沟道阳城模式MOSFET [N Channel Enchancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 201 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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N沟道阳城模式MOSFET
60V/60A
ST6006S / ST6006
电气特性
( TA = 25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
I
DSS
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
条件
V
GS
=0V,I
D
=10uA
V
DS
=V
GS
,I
D
=50uA
V
DS
=0V,V
GS
=20V
V
DS
=60V,V
GS
=0V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
T
J
=125
V
DS
=60V,V
GS
=0V
T
J
=175
V
DS
=5V,V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
D
=30A
V
GS
=10V,I
D
=30A
T
J
=125
V
GS
=10V,I
D
=30A
T
J
=175
V
GS
=5V,I
D
=30A
V
DS
=15V,I
D
=30A
I
F
=60A,V
GS
=0V
V
DS
=30V,V
GS
=10V
I
D
60A
V
DS
=25V,V
GS
=0V
F=1MHz
39
12
10
2000
400
115
12
36
34
10
最小典型最大单位
60
1.0
3.0
V
V
100 nA的
1
uA
50
通态漏电流
漏源导通电阻
I
D(上)
60
12
24
31
14
49
16
30
A
R
DS ( ON)
m
Ω
37
19
S
1.6
60
nC
V
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
g
fs
V
SD
Qg
QGS
QGD
西塞
科斯
CRSS
pF
25
60纳秒
60
25
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=10V,R
L
=5.5
Ω
I
D
=3.6A,V
=4.5V
R
G
=6
Ω
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