欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    TC6320TG 参数 Datasheet PDF下载

    TC6320TG图片预览
    型号： TC6320TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N-和P-沟道增强型MOSFET双 [N- and P- Channel Enhancement-Mode Dual MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 4 页 / 379 K
    品牌： SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
     浏览型号TC6320TG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TC6320TG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TC6320TG的Datasheet PDF文件第4页  
    TC6320
    N沟道电气特性
    （T = 25° C除非另有规定编）
    J
    符号
    参数
    民
    典型值
    最大
    单位
    条件
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    ΔV
    GS （ TH）
    R
    GS
    ΔR
    GS
    VZ
    GS
    γVZ
    GS
    I
    DSS
    漏极至源极击穿电压
    栅极阈值电压
    改变V
    GS （ TH）
    随温度
    栅源分流电阻
    变化RGS与温度
    栅源击穿电压
    改变VZGS与温度
    零栅极电压漏极电流
    200
    1.0
    -
    10
    -
    13.2
    -
    -
    -
    1.0
    2.0
    -
    -
    -
    400
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.0
    -4.5
    50
    待定
    25
    待定
    V
    V
    毫伏/
    O
    C
    KΩ
    %/
    O
    C
    V
    毫伏/
    O
    C
    µA
    mA
    A
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 2.0毫安
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = 1.0毫安
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = 1.0毫安
    I
    GS
    = 100µA
    I
    GS
    = 100µA
    I
    GS
    = 2.0毫安
    I
    GS
    = 2.0毫安
    V
    DS
    =最大额定值，V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 0.8最大额定值，
    V
    GS
    = 0V ，T
    A
    = 125
    O
    C
    V
    GS
    = 4.5V, V
    DS
    = 25V
    V
    GS
    = 10V, V
    DS
    = 25V
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 150毫安
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 1.0A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =150mA
    V
    DS
    = 25V ，我
    D
    = 200毫安
    V
    GS
    = 0V,
    V
    DS
    = 25V,
    F = 1MHz的
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    300
    10.0
    1.0
    -
    -
    8.0
    7.0
    1.0
    -
    110
    60
    23
    10
    15
    20
    15
    1.8
    -
    I
    D（上）
    R
    DS （ ON）
    ΔR
    DS （ ON）
    G
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    t
    rr
    通态漏电流
    静态漏 - 源极导通电阻
    tance
    变化在研发
    DS （ ON）
    随温度
    正向跨导
    输入电容
    共源输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    二极管的正向压降
    反向恢复时间
    Ω
    %/
    O
    C
    mmho
    pF
    ns
    V
    DD
    =25V,
    I
    D
    = 1.0A,
    R
    根
    = 25Ω
    V
    GS
    = 0V时，我
    SD
    = 0.5A
    V
    GS
    = 0V时，我
    SD
    = 0.5A
    V
    ns
    注意事项：
    1.全直流参数在25℃经过100％测试，除非另有说明。 （脉冲测试： 300秒脉冲， 2 ％占空比）
    2.所有参数交流采样测试。
    N沟道开关波形和测试电路
    10V
    输入
    0V
    10%
    t
    （上）
    t
    D（上）
    V
    DD
    产量
    0V
    90%
    90%
    10%
    t
    r
    t
    （关闭）
    t
    D（关闭）
    t
    f
    10%
    输入
    90%
    脉冲
    发电机
    R
    根
    V
    DD
    R
    L
    产量
    D.U.T
    2

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6