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    TC6320TG 参数 Datasheet PDF下载

    TC6320TG图片预览
    型号： TC6320TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N-和P-沟道增强型MOSFET双 [N- and P- Channel Enhancement-Mode Dual MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 4 页 / 379 K
    品牌： SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
     浏览型号TC6320TG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TC6320TG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TC6320TG的Datasheet PDF文件第4页  
    TC6320
    P-通道电气特性
    （T = 25° C除非另有规定编）
    J
    符号
    参数
    民
    典型值
    最大
    单位
    条件
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    ΔV
    GS （ TH）
    R
    GS
    ΔR
    GS
    VZ
    GS
    γVZ
    GS
    I
    DSS
    漏极至源极击穿电压
    栅极阈值电压
    改变V
    GS （ TH）
    随温度
    栅源分流电阻
    变化在研发
    GS
    随温度
    栅源击穿电压
    变化RGS与温度
    零栅极电压漏极电流
    -200
    -1.0
    -
    10
    -
    13.2
    -
    -
    -
    -1.0
    -2.0
    -
    -
    -
    400
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    300
    -
    -2.4
    4.5
    50
    待定
    25
    待定
    -10
    -1.0
    -
    -
    10
    8.0
    1.0
    -
    200
    55
    30
    10
    15
    20
    15
    -1.8
    -
    V
    V
    毫伏/
    O
    C
    KΩ
    %/
    O
    C
    V
    毫伏/
    O
    C
    µA
    mA
    A
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = -2.0µA
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = -1.0mA
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = -1.0mA
    I
    GS
    = 100µA
    I
    GS
    = 100µA
    I
    GS
    = -2mA
    I
    GS
    = -2mA
    V
    DS
    =最大额定值，V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 0.8最大额定值，
    V
    GS
    = 0V ，T
    A
    = 125
    O
    C
    V
    GS
    = -4.5V, V
    DS
    = -25V
    V
    GS
    = -10V, V
    DS
    = -25V
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    = -150mA
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    = -1.0A
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    =-200mA
    V
    DS
    = -25V ，我
    D
    = -200mA
    V
    GS
    = 0V,
    V
    DS
    = -25V,
    F = 1MHz的
    I
    D（上）
    R
    DS （ ON）
    ΔR
    DS （ ON）
    G
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    t
    rr
    通态漏电流
    静态漏 - 源极导通电阻
    tance
    变化在研发
    DS （ ON）
    随温度
    正向跨导
    输入电容
    共源输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    二极管的正向压降
    反向恢复时间
    Ω
    %/
    O
    C
    mmho
    pF
    ns
    V
    DD
    = -25V,
    I
    D
    = -1.0A,
    R
    根
    = 25Ω
    V
    GS
    = 0V时，我
    SD
    = -0.5A
    V
    GS
    = 0V时，我
    SD
    = -0.5A
    V
    ns
    注意事项：
    1.全直流参数在25℃经过100％测试，除非另有说明。 （脉冲测试： 300秒脉冲， 2 ％占空比）
    2.所有参数交流采样测试。
    P-通道开关波形和测试电路
    0V
    输入
    -10V
    90%
    t
    （上）
    t
    D（上）
    0V
    产量
    V
    DD
    t
    r
    90%
    10%
    t
    （关闭）
    t
    D（关闭）
    90%
    R
    L
    10%
    V
    DD
    t
    f
    输入
    产量
    R
    根
    D.U.T
    10%
    脉冲
    发电机
    3

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