SUP/SUB65P06-20
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
= –5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –30 A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= -10 V，I
D
= -30 ，T
J
= 125_C
V
GS
= -10 V，I
D
= -30 ，T
J
= 175_C
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= -15 V，I
D
= –30 A
25
–120
0.017
0.020
0.033
0.042
S
W
–60
V
–2.0
–3.0
–4.0
"100
–1
–50
–150
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -30 V ，R
L
= 0.47
W
,
I
D
]
-65 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= –30 V, V
GS
= -10 V，I
D
= –65 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= -25 V，F = 1兆赫
4500
870
350
85
24
22
15
40
65
30
40
80
120
60
ns
120
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
a
连续电流
脉冲电流
正向电压
b
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
s
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= -65 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= -65 A，V
GS
= 0 V
–1.1
70
7
0.245
–65
–200
–1.4
120
9
0.54
V
ns
A
mC
A
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
Ç 。独立的工作温度。
2
Siliconix公司
P- 39628 -REV 。 A， 28日-12月94
TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
