SUP65P06-20 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SUP65P06-20
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内容描述：	P沟道增强型晶体管 [P-Channel Enhancement-Mode Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小：	4 页 / 60 K
品牌：	TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]

SUP/SUB65P06-20

典型特性（ 25 ° C除非另有说明）

2.5

导通电阻与结温

100

= 10 V

= 30 A

- 源电流（ A）

源极 - 漏极二极管正向电压

DS （ ON）

- 导通电阻（

)

（归一化）

2.0

1.5

= 150_C

= 25_C

1.0

0.5

–50 –25

100 125 150 175

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

=结温（ ° C）

- 源极到漏极电压（V ）

热额定值

最大雪崩和漏极电流

与外壳温度

500

安全工作区

100

1毫秒

100

- 漏极电流（ A）

限于由R

DS （ ON）

10毫秒

100毫秒

= 25_C

单脉冲

100

125

150

175

- 外壳温度（ ℃）

标准化的有效瞬态

热阻抗

占空比= 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

0.01

–5

0.1

100

- 漏极至源极电压（ V）

归瞬态热阻抗，结至外壳

–4

–3

–2

–1

方波脉冲持续时间（秒）

Siliconix公司

P- 39628 -REV 。 A， 28日-12月94

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