FDS_6533_6534_004
71M6533 / 71M6534数据表
示出了分配给从AFE模拟输入中的XRAM在CE地址。
表4 ： XRAM位置的ADC结果
地址（十六进制）
0x00
0x01
0x02
0x03
0x04
0x05
0x06
0x07 – 0x09
0x0A
0x0B
名字
IA
VA
IB
VB
IC
VC
ID
–
温度
VBAT
描述
A相电流
相电压
B相电流
B相电压
C相电流
C相电压
中性线电流
未使用
温度
电池电压
行政长官是由支持硬件辅助，以方便实施方程，脉冲计数器和AC-
cumulators 。此硬件是通过I / O RAM位置控制
EQU
（公式协助）
DIO_PV
和
DIO_PW
（脉冲计数辅助） ，以及
PRE_SAMPS
和
SUM_CYCLES
（积累协助） 。
PRE_SAMPS
和
SUM_CYCLES
支持一个双级堆积方案，其中所述第一蓄能器
从积累的结果
PRE_SAMPS
样品和第二累加器累加到
SUM_CYCLES
第一累加器的结果。积分时间对每个输出能量是
PRE_SAMPS
*
SUM_CYCLES/2520.6
（有
MUX_DIV
= 6）。 CE的硬件发出中断XFER_BUSY
当累积完成。
1.2.10仪表方程
该71M6533和71M6534提供硬件协助的行政长官，以支持各种仪表
方程式。这种援助是通过I / O RAM位置控制
EQU
（公式协助） 。计算
引擎（CE ）固件用于工业的配置可以实现在所列出的方程
EQU
指定要基于所述流量计配置和用于相数的方程中使用
测光。
表5 ：输入在常规和替代多路复用器循环选择
WH和VARh公式
EQU
描述
0
1
2
3
4
5
1元， 2 W ， 1φ与
中立的电流检测
1元， 3 W ， 1φ
2元， 3 W ， 3φ三角洲
2元， 4瓦， 3φ三角洲
2元， 4瓦， 3φ怀
3元， 4瓦， 3φ怀
0元
VA × IA
VA(IA-IB)/2
VA × IA
VA(IA-IB)/2
VA × IA
1元
VA ∙ IB
不适用
VB × IB
VC ∙ IC
VB × IB
元素
2
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
VC × IC
MUX
顺序
顺序是
可编程
同
SLOTn_SEL
ALT复用硒
QUENCE
顺序是
可编程
同
SLOTn_ALTSEL
VA （IA -IB ）/ 2 V B（ IC- IB） / 2的
1.2.11实时监控
在CE中包含一个实时监控器（ RTM ） ，它可以通过编程来监视四个可选择的XRAM
在全采样率的位置。四个监视的位置是连续地输出经由该TMUXOUT销
数字输出多路转换器在每个CE码通的开始。在RTM可以启用和禁用
同
RTM_E 。
在RTM输出的时钟由CKTEST 。每个RTM字时钟输出在35个循环和反对
含有一个领先的标志位。参见图19的RTM输出格式。 RTM的是低的时候不在使用中。
v1.1
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