T15N1M16A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T15N1M16A
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内容描述：	64K ×16低功耗CMOS静态RAM [64K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	13 页 / 104 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

T15N1M16A

DATA RETENTION CHARACTERISTICS

PARAMETER

for Data Retention

Data Retention Current

Chip Deselect to Data Retention

Time

Operation Recovery Time

SYM.

CCDR

CDR

TEST CONDITION

≥

-0.2V

≥

Vcc -0.2V or

≤

0.2V

Vcc=3.0V

MIN.

1.5

MAX.

UNIT

DATA RETENTION WAVEFORM

(Ta = 0°C to +70° / -40°C to +85

°C)

TM Technology Inc. reserves the right

to change products or specifications without notice.

P. 10

Publication Date: JUL. 2002

Revision: A

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