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T15N1024A-100CI 参数 Datasheet PDF下载

T15N1024A-100CI图片预览
型号: T15N1024A-100CI
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内容描述: 128K ×8低功耗CMOS静态RAM [128K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 93 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
TE
CH
T15N1024A
数据保持特性
(大= 0 〜+ 70
°C
/ -40 ° C至85°C )
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
符号。
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
测试条件
CE
1
V
DD
-0.2V
CE2
0.2V
V
IN
VCC -0.2V或
V
IN
0.2V
分钟。
1.5
-
0
t
RC
马克斯。
-
5*
-
-
单位
V
uA
ns
ns
* VCC = 1.8V
数据保存波形
(大= 0 〜+ 70
°C
/ -40 ° C至85°C )
ð ATA保留模式
V CC
Vcc_typ
t
V
DR
> 1.5V
t
V cc_TY P
R
CDR
CE1
V
IH
CE1>VCC-0.2V
V
IH
CE2
V
IH
CE2 < 0.2V
V
IH
TM科技公司保留权利
P. 9
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:二月2003
版本:电子