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    T15N1024A-100CI 参数 Datasheet PDF下载

    T15N1024A-100CI图片预览
    型号： T15N1024A-100CI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×8低功耗CMOS静态RAM [128K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 13 页 / 93 K
    品牌： TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
     浏览型号T15N1024A-100CI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号T15N1024A-100CI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号T15N1024A-100CI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号T15N1024A-100CI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号T15N1024A-100CI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号T15N1024A-100CI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号T15N1024A-100CI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号T15N1024A-100CI的Datasheet PDF文件第11页  
    tm
    地址
    TE
    CH
    T15N1024A
    时序波形
    读周期1
    （地址控制）
    t
    RC
    t
    AA
    t
    OH
    D
    OUT
    以前的数据Vaild
    数据VAILD
    不关心
    未定义
    读周期2
    （芯片使能控制）
    CE1
    CE2
    t
    ACE
    t
    LZ
    t
    HZ
    D
    OUT
    不关心
    未定义
    注（读周期） ：
    1.
    WE
    高读周期。
    2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
    3. t
    HZ
    和T
    OHZ
    被定义为在所述输出达到参考于开路状态的时间
    V
    OH
    或V
    OL
    的水平。
    4.在任何给定的温度和电压条件。吨
    HZ
    （最大）小于吨
    LZ
    （分）都对于给定的设备
    和从设备到设备互连。
    5.转换测量
    ±200mV
    从稳态电压与负载。这个参数进行采样，不
    100 ％测试。
    6.设备，不间断地与选择
    CE
    1
    =V
    IL
    .
    TM科技公司保留权利
    改变产品或规格，恕不另行通知。
    P. 7
    出版日期：二月2003
    版本：电子

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