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T15N1024A-100CI 参数 Datasheet PDF下载

T15N1024A-100CI图片预览
型号: T15N1024A-100CI
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内容描述: 128K ×8低功耗CMOS静态RAM [128K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 93 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
TE
CH
T15N1024A
推荐工作条件
(大=
0 ~ +70
°C
/ -40 ° C至85°C ** )
参数
电源电压
输入电压
符号
VCC
GND
2.4
0.0
1.6
-0.3
最大
3.6
0.0
Vcc+0.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
IH
V
IL
电容
( F = 1MHz时, TA = 25 ° C, )
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
条件
V
IN
= 0V
V
IN
=
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
C
IN
C
I / O
注意:
这个参数是由设备特性保证,而不是生产测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
条件
0.2V至2.1V
3.0纳秒
1.4V
C
L
= 30pF的+ 1TTL负荷( 55ns / 70ns的)
C
L
= 100pF电容+ 1TTL负载(负载为100纳秒)
AC测试负载和波形
TTL
DQ
R
L
50 OHM
C
L
*
Z
0
= 50欧姆
VT = 1.4V
C
L
30 pF的
图A *包括范围和夹具电容
图B输出负载等效
TM科技公司保留权利
改变产品或规格,恕不另行通知。
P. 5
出版日期:二月2003
版本:电子