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    T15V2M16B-55SI 参数 Datasheet PDF下载

    T15V2M16B-55SI图片预览
    型号： T15V2M16B-55SI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×16低功耗CMOS静态RAM [128K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 12 页 / 95 K
    品牌： TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
     浏览型号T15V2M16B-55SI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号T15V2M16B-55SI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号T15V2M16B-55SI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号T15V2M16B-55SI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号T15V2M16B-55SI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号T15V2M16B-55SI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号T15V2M16B-55SI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号T15V2M16B-55SI的Datasheet PDF文件第9页  
    tm
    TE
    CH
    T15V2M16B
    绝对最大额定值*
    参数
    任何引脚相对于VSS的电压
    功耗
    储存温度
    在偏置温度
    符号
    V
    R
    P
    D
    T
    英镑
    I
    BIAS
    分钟。
    -0.2
    -
    -55
    -10 / -40
    马克斯。
    +4.6 V
    1.0
    +150
    +70 / +85
    单位
    V
    W
    °C
    °C
    *注：应力大于上述绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
    该设备。这是一个额定值和设备的功能操作在这些或任何其他
    外面那些本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。
    暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
    真值表
    I / O 1 〜 8
    I / O 9 〜 16
    模式
    LB
    OE
    WE
    UB
    CE
    H
    X*
    X*
    X*
    X*
    高-Z
    高-Z
    取消
    X*
    X*
    X*
    H
    H
    高-Z
    高-Z
    取消
    L
    H
    H
    L
    X*
    高-Z
    高-Z
    输出禁用
    L
    H
    H
    X*
    L
    高-Z
    高-Z
    输出禁用
    L
    L
    H
    L
    H
    数据输出
    高-Z
    低字节读
    L
    L
    H
    H
    L
    高-Z
    数据输出
    高字节读
    L
    L
    H
    L
    L
    数据输出
    数据输出
    字读
    L
    X*
    L
    L
    H
    DATA IN
    高-Z
    低字节写入
    L
    X*
    L
    H
    L
    高-Z
    DATA IN
    高字节写
    L
    X*
    L
    L
    L
    DATA IN
    DATA IN
    字写
    *注： X =无关（必须是高或低的状态） ，L =低，H =高
    动力
    待机
    待机
    活跃
    活跃
    活跃
    活跃
    活跃
    活跃
    活跃
    活跃
    TM科技公司保留权利
    改变产品或规格，恕不另行通知。
    P. 3
    出版日期：十一月2002年
    修订版：A

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