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T15V2M16B-55SI 参数 Datasheet PDF下载

T15V2M16B-55SI图片预览
型号: T15V2M16B-55SI
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内容描述: 128K ×16低功耗CMOS静态RAM [128K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 95 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
-
TE
CH
T15V2M16B
推荐工作条件
(大=
-10 ~ +70
°C
/
-40°C ~ 85°C)
参数
电源电压
输入电压
符号
VCC
V
SS
2.7
0.0
0.7Vcc
-0.2
典型值
3.0
0.0
-
-
最大
3.6
0.0
Vcc+0.3
0.6
单位
V
V
V
V
V
IH
V
IL
工作特性
-
( VCC = 2.7〜 3.6V ,
V
SS
= 0V ,TA =
-10 ~ +70
°C
/
-40°C ~ 85°C)
符号。
I
LI
测试条件
VCC =最大,
V
IN
= V
SS
到Vcc
-45
-55
-70
-100
单位
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
-
1
-
1
-
1
-
1
uA
工作电源
电源电流
平均开工
当前
待机功耗
电源电流
( TTL电平)
待机功耗
电源电流
( CMOS电平)
输出低电压
输出高电压
CE
= V
IH
or
OE
= V
IH
I
LO
or
WE
= V
IL
V
IO
= V
SS
到Vcc
CE
= V
IL
,
WE
=V
IH ,
OE
= V
IH
,
I
CC
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素,
I
OUT
=0mA
周期时间= 1us的,
100 %的责任,我
IO
=0mA,
I
CC1
CE
0.2V,
V
IN
V
CC
-0.2V
或V
IN
0.2V
循环时间=分钟,
100 %的责任,我
IO
=0mA,
I
CC2
CE
= V
白细胞介素,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
=
V
IH
or
I
SB
LB
=
UB
=
V
IH
其他输入= V
IL
or
V
IH
CE
VCC- 0.2V或
LB
=
UB
≥Vcc-0.2V,
I
SB1
V
IN
0.2V或
V
IN
Vcc-0.2V
V
OL
I
OL
= 2.1毫安
V
OH
I
OH
= -1.0毫安
-
1
-
1
-
1
-
1
uA
-
3
-
3
-
3
-
3
mA
-
5
-
5
-
5
-
5
mA
-
45
-
40
-
35
-
25
mA
-
0.3
-
0.3
-
0.3
-
0.3
mA
-
40
-
15
-
15
-
15
uA
-
2.2
P. 4
0.4
-
- 0.4
2.2
-
- 0.4
2.2
-
- 0.4
2.2
-
V
V
TM科技公司保留权利
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:十一月2002年
修订版:A