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T15V2M16B-55SI 参数 Datasheet PDF下载

T15V2M16B-55SI图片预览
型号: T15V2M16B-55SI
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内容描述: 128K ×16低功耗CMOS静态RAM [128K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 95 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
地址
TE
CH
T15V2M16B
时序波形
读周期1
(地址控制,
CE
=
OE
=
V
IL
,
WE
=
V
IH
,
LB
或/和
UB
=
V
IL
)
TRC
牛逼AA
吨OH
DOUT
以前的数据有效
数据有效
读周期2 (
WE
=
V
IH
)
t
RC
广告ð重新S S小
t
A A
CE
t
OH
t
HZ
t
ACE
t
BA
UB / LB
t
OE
OE
t
BHZ
t
LZ
D
OUT
t
BLZ
t
OLZ
t
OHZ
高-Z
不关心
未定义
注(读周期) :
1.
WE
高读周期。
2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
3. t
HZ
和T
OHZ
被定义为在所述输出达到参考于开路状态的时间
V
OH
或V
OL
的水平。
4.在任何给定的温度和电压条件。吨
HZ
(最大)小于吨
LZ
(分)都对于给定的设备
和从设备到设备互连。
5.转换测量
±200mV
从稳态电压与负载。这个参数进行采样,不
100 %测试。
6.设备,不间断地与选择
CE
=V
IL
.
TM科技公司保留权利
改变产品或规格,恕不另行通知。
P. 7
出版日期:十一月2002年
修订版:A