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    T15V4M16A 参数 Datasheet PDF下载

    T15V4M16A图片预览
    型号： T15V4M16A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×16低功耗CMOS静态RAM [256K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 92 K
    品牌： TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
     浏览型号T15V4M16A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号T15V4M16A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号T15V4M16A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号T15V4M16A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号T15V4M16A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号T15V4M16A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号T15V4M16A的Datasheet PDF文件第9页浏览型号T15V4M16A的Datasheet PDF文件第10页  
    tm
    TE
    CH
    初步T15V4M16A
    VSS
    = 0V ， TA = -40 ° C至85°C ）
    AC特性
    (
    VCC
    = 2.7〜 3.6V ，
    （ 1 ）读周期
    参数
    读周期时间
    地址访问时间
    芯片使能存取时间
    输出启用访问时间
    从地址变更输出保持
    芯片使能到输出低-Z
    芯片禁用输出高阻
    输出使能，以在低Z输出
    输出禁用输出高阻
    LB
    ,
    UB
    存取时间
    LB
    ,
    UB
    使能到输出低-Z
    LB
    ,
    UB
    禁用输出在高Z
    符号。
    t
    RC
    t
    AA
    t
    ACE
    t
    OE
    t
    OH
    t
    LZ
    t
    HZ
    t
    OLZ
    t
    OHZ
    t
    BA
    t
    BLZ
    t
    BHZ
    -55
    民
    最大
    民
    -70
    最大
    -100
    民
    最大
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    55
    -
    -
    -
    10
    10
    -
    5
    -
    -
    10
    -
    -
    55
    55
    30
    -
    -
    20
    -
    20
    55
    -
    20
    70
    -
    -
    -
    10
    10
    -
    5
    -
    -
    10
    -
    -
    70
    70
    35
    -
    -
    25
    -
    25
    70
    -
    25
    100
    -
    -
    -
    10
    10
    -
    5
    -
    -
    10
    -
    -
    100
    100
    50
    -
    -
    30
    -
    30
    100
    -
    30
    （ 2 ）写周期
    参数
    写周期时间
    芯片使能写到底
    地址有效到写结束
    地址建立时间
    把脉冲宽度
    写恢复时间
    有效的数据写入结束
    数据保持时间
    写使能在高阻输出
    从输出的写端活跃
    符号。
    t
    WC
    t
    CW
    t
    AW
    t
    AS
    t
    WP
    t
    WR
    t
    DW
    t
    DH
    t
    WHZ
    t
    OW
    -55
    民
    最大
    民
    -70
    最大
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    民
    最大
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    55
    50
    50
    0
    45
    0
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    0
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    5
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    -
    -
    -
    -
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    20
    -
    70
    60
    60
    0
    50
    0
    30
    0
    -
    5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    25
    -
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    80
    80
    0
    70
    0
    40
    0
    -
    5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    30
    -
    台湾记忆体技术，公司保留权利
    改变产品或规格，恕不另行通知。
    P. 6
    出版日期：九月2000
    修订： 0.B

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