T15V4M16A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T15V4M16A
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内容描述：	256K ×16低功耗CMOS静态RAM [256K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 92 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

一个DD RE S S小

初步T15V4M16A

写周期3 （

控制）

UB / LB

T作为

TWP

DOUT

高-Z

TDW

TDH

DIN

高-Z

DO N' T C AR ê

联合国ð EF INE ð

注（写周期）：

1.低重叠期间，写操作

，低WE 。写始于lateat过渡

中

变低，我们要低。写在结尾中最早转型

去

高，我们要高。

从写入的开始写的末端测量。

从后来的测量

变低，以写的末尾。

从地址有效到写的开始测量的。

从写入地址变更的端部测量的。

台湾记忆体技术，公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 9

出版日期：九月2000

修订： 0.B

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