T15V4M16A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T15V4M16A
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内容描述：	256K ×16低功耗CMOS静态RAM [256K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 92 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

初步T15V4M16A

时序波形

读周期1

（地址控制，

或/和

)

TRC

公元DR ES S

牛逼AA

吨OH

D OUT

以前的数据有效

数据有效

读周期2 （

)

R C

地址

A A

权证

A C ê

B一

/磅

Ø ê

B H ž

OUT

B LZ

OLZ

OH ž

高-Z

不关心

未定义

（芯片使能控制）

注（读周期）：

高读周期。

2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。

3. t

和T

OHZ

被定义为在所述输出达到参考于开路状态的时间

或V

的水平。

4.在任何给定的温度和电压条件。吨

（最大）小于吨

（分）都对于给定的设备

和从设备到设备互连。

5.转换测量

200mV的从稳态电压与负载。这个参数进行采样，不

100 ％测试。

6.设备，不间断地与选择

台湾记忆体技术，公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 7

出版日期：九月2000

修订： 0.B

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