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    T2316405A-10 参数 Datasheet PDF下载

    T2316405A-10图片预览
    型号： T2316405A-10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4M ×4动态RAM EDO页模式 [4M x 4 DYNAMIC RAM EDO PAGE MODE]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 14 页 / 137 K
    品牌： TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
     浏览型号T2316405A-10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号T2316405A-10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号T2316405A-10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号T2316405A-10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号T2316405A-10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号T2316405A-10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号T2316405A-10的Datasheet PDF文件第9页浏览型号T2316405A-10的Datasheet PDF文件第10页  
    tm
    TE
    CH
    T2316405A
    初步T2316407A
    -50
    符号
    tOFF2
    TWCS
    TwCh
    TWCR
    TWP
    tRWL
    Tcwl
    TDS
    TDH
    TDHR
    0
    0
    8
    21
    8
    10
    8
    0
    8
    21
    12
    0
    0
    10
    24
    10
    10
    10
    0
    10
    24
    79
    49
    34
    50
    2
    5
    10
    10
    10
    5
    5
    10
    7
    5
    10
    15
    50
    32
    5
    10
    10
    13
    5
    5
    10
    10
    5
    20
    -60
    15
    0
    0
    13
    27
    10
    13
    13
    0
    13
    27
    94
    59
    44
    2
    50
    32
    5
    10
    10
    25
    5
    5
    10
    13
    5
    25
    -70
    20
    0
    0
    15
    40
    15
    25
    25
    0
    20
    45
    130
    80
    55
    2
    50
    32
    -10
    单位注
    AC特性
    （续）
    AC特性
    参数
    输出缓冲器关断，以OE
    写命令设置时间
    写命令保持时间
    写命令保持时间（参考
    到RAS ）
    WRITE命令的脉冲宽度
    写命令到RAS交货期
    写命令到CAS交货期
    数据的建立时间
    数据保持时间
    数据保持时间（参考RAS ）
    RAS
    to
    WE
    延迟时间
    最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
    25
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ms
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    16
    11,14
    14
    14
    14
    14
    12
    12
    tRWD 64
    tAWD 39
    TCWD 26
    tT
    TREF
    TRPC
    TCSR
    tCHR
    TOEH
    脚趾
    TOEH
    C
    tOEP
    托德
    2
    32
    5
    5
    8
    8
    5
    5
    10
    5
    5
    11
    11
    11
    2,3
    列地址来拖延时间
    CAS以拖延时间
    转换时间（上升或下降）
    刷新周期（ 2048次）
    RAS
    to
    CAS
    预充电时间
    CAS建立时间（ CBR刷新）
    CAS保持时间（ CBR刷新）
    OE保持时间从我们在读 -
    修改 - 写周期
    OE低到高CAS建立时间
    OE
    从高保持时间
    CAS
    高
    6
    6
    15
    OE高脉冲宽度
    OE
    安装前
    RAS
    在隐
    刷新周期
    数据输出保持CAS后返回低电平TCOH
    tWHZ
    我们从输出禁用延迟
    台湾记忆体技术，公司保留权利
    P. 6
    改变产品或规格，恕不另行通知。
    出版日期：四月2001年
    修订： 0.B

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