T2316405A-10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T2316405A-10
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内容描述：	4M ×4动态RAM EDO页模式 [4M x 4 DYNAMIC RAM EDO PAGE MODE]
分类和应用：
文件页数/大小：	14 页 / 137 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

参数

T2316405A

初步T2316407A

绝对最大额定值

符号

VCC

IOUT

TOPR

TSTG

价值

-0.5到4.6

0到70

-55至125

单位

任何引脚相对于VSS的电压

电源电压相对于Vss

短路输出电流

功耗

工作温度

储存温度

建议的直流工作条件

（大= 0至+70

）对于T2316405A - 10只

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

符号

VSS

VCC

VIH

VIL

分钟。

2.4

2.0

-0.3

典型值

2.6

马克斯。

2.8

Vcc+0.3V

0.8

单位

笔记

（大= 0至+70

）对于T2316407A -50 /七十分之六十零只

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

符号

VSS

VCC

VIH

VIL

分钟。

3.0

2.0

-0.3

典型值

3.3

马克斯。

3.6

Vcc+0.3V

0.8

单位

笔记

注：1.所有电压参考Vss的

台湾记忆体技术，公司保留权利

P. 3

改变产品或规格，恕不另行通知。

出版日期： 2001年4月

修订： 0.B

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