tm
TE
CH
T2316405A
初步T2316407A
11. TWCS ， tRWD ， tAWD和TCWD是
在晚限制性操作参数
写和读 - 修改-Write周期
只。如果T CS
≥
TWCS （分钟） ，循环是一个
W
初期写入周期和数据输出的意志
是一个开放电路的整个
周期。如果tRWD
≥
tRWD （分钟） ， tAWD
≥
tAWD （分钟）和TCWD
≥
TCWD （分钟），则
周期为读写和数据输出
将包含从所选择的单元中读取数据。如果
上述两个条件都不满足，则状态
的I / O（在存取时间和直到CAS和
RAS
or
OE
回到VIH ）是不确定的。
OE高举和WE CAS后，采取低
变低，因此在后写入（ OE -
控制）周期。
12.这些参数被引用到CAS
在早期的W¯¯前沿
RITE周期和
WE
前缘后写入或READ-
修改 - 写周期。
13.在读周期，如果
OE
在低则取
高CAS之前变高， I / O云开放，
如果OE是永久接为低电平，一晚
写
or
读 - 修改 - 写
操作是不可能的。
14.写命令的定义是我们要低。
15后写和读 - 修改 - 写
周期必须同时TOFF2和TOEH满足
(
OE
在写周期），以高
确保输出缓冲器将开放
在写周期。
16. I / O的在读周期，一旦开放
TOFF1或TOFF2发生。
注意事项：
1.后需要的200us的初始暂停
电后跟8 RAS的刷新
周期之前适当（仅CBR或RAS）
设备的操作是有保证的。八
RAS
周期唤醒-UPS应重复任何时间
在TREF刷新的要求超出。
2. V IH （ 2.0V ）和VIL （ 0.8V ）为参考
水平测量输入信号的定时。
转换时间的测量
V IH （ 2.0V ）和VIL （ 0.8V ） 。
3.除了满足过渡速率
规范，所有输入信号必须中转
VIH和VIL在单调地之间。
4.假设的tRCD < tRCD的（最大） 。如果是tRCD的
大于最大推荐值
在该表中示出， TRAC将通过增加
量吨RCD超过显示的值。
5.假设的tRCD
≥
tRCD的（最大） 。
6.使芯片的刷新和地址计数器。
中的tRCD （最大值）限制确保在7操作
这TRAC （最大）可以得到满足。的tRCD （max）是
指定为唯一的一个参考点;如果是tRCD的
大于指定的tRCD （最大）的限制，
存取时间由TCAC控制。
8.操作中岛限制确保
TRAC （最大）可以得到满足。 TRAD （ max）为
指定为唯一的一个参考点;如果是繁体
大于指定吨的AD （最大值）的限制，
R
存取时间由TAA控制。
9.无论是传输信道或tRRH必须满足一个
读周期。
10. TOFF1 （最大值）定义了时间，让
输出达到开路状态;这是
没有提及VOH或VOL 。
台湾记忆体技术，公司保留权利
P. 7
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：四月2001年
修订： 0.B
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
