T35L3232B-4T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T35L3232B-4T
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内容描述：	32K ×32的SRAM [32K x 32 SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	19 页 / 261 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

ç LK

ADSP

吨KC

初步T35L3232B

管道读时序

吨KH吨KL

吨ADSS吨ADSH

ADS ç

吨为T AH

地址

吨的WS吨WH

突发继续

新的基地址。

GW ， BWE ，

BW 1 BW4

吨CES吨CEH

取消循环。

(NOTE2)

吨AAS吨AAH

ADV

ADV暂停爆裂。

(NOTE3)

吨KQLZ

tOEHZ

吨OEQ

tOELZ

吨KQ

吨KQX

吨KQHZ

吨KQX

高-Z

吨KQ

Q(A1)

Q(A2)

(NOTE1)

Q(A2+1)

Q(A2+2)

Q(A2+3)

Q(A2)

Q(A2+1)

Q(A3)

各地突发包装

其初始索状态。

突发读

星乐读

DON 'T CARE

未定义

注意：

1. Q（ A2 ）是指输出地址A2 。 Q（ A 2 + 1 ），是指输出的下一个内部突发

地址如下A2 。

CE2

和CE2都定时相同

。在此图中，当

低，

CE2

是低

和CE2为高电平。当

高，

CE2

为HIGH和CE2为低。

3.时序如图假定该设备进入到这个序列之前没有启用。

不会导致Q以被驱动，直到后，在下一个时钟上升沿。

台湾记忆体技术，公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 12

出版日期：二月2000

修订： 0.A

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