T35L3232B-4T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T35L3232B-4T
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内容描述：	32K ×32的SRAM [32K x 32 SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	19 页 / 261 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

初步T35L3232B

管道读/写时序

吨KC

CLK

吨KH吨KL

吨ADSS吨ADSH

ADSP

ADS ç

吨为T AH

地址

吨的WS吨WH

BWE

BW 1- B W4

吨CES吨CEH

(NOTE2)

ADV

吨KQ

吨DS

吨DH

tOELZ

D(A5)

吨KQ

(NOTE1)

Q(A2)

单WRIT ê

Q(A3)

直通

读

Q(A4)

Q(A4+1)

Q(A4+2)

Q(A4+3)

后端到回

写到

D(A6)

高-Z

吨KQLZ

tOEHZ

D(A3)

高-Z

Q(A1)

后端到背面写着

突发读

不关心

未定义

注意：

1. Q（ A4 ）是指输出地址A4 。 Q（即A4 + 1 ）是指输出的下一个内部突发

地址如下A4 。

CE2

和CE2都定时等同于行政长官。在此图中，当CE为低电平，

CE2

LOW和CE2高。当CE为高电平， CE2为高和CE2为低。

3.下面写周期，除非数据总线（ Q）保持在高阻

ADSP

ADSC

ADV

周期被执行。

为高。

5.返回到回读可通过两种控制

ADSP

ADSC

台湾记忆体技术，公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 15

出版日期：二月2000

修订： 0.A

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