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T35L3232B-4T 参数 Datasheet PDF下载

T35L3232B-4T图片预览
型号: T35L3232B-4T
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内容描述: 32K ×32的SRAM [32K x 32 SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 19 页 / 261 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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CLK
AD S·P
TE
CH
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初步T35L3232B
流通读/写时序
吨ķ H T KL
吨AD S S小吨AD中文
AD S·C
吨为T AH
AD ,D R (E S)
1
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A2
A3
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A6
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未定义
注意:
1. Q( A4 )是指输出地址A4 。 Q(即A4 + 1 )是指输出的下一个内部突发
地址如下A4 。
2.
CE2
和CE2都定时等同于行政长官。在此图中,当CE为低电平,
CE2
is
LOW和CE2高。当CE为高电平, CE2为高和CE2为低。
3.下面写周期,除非数据总线( Q)保持在高阻
ADSP
,
ADSC
or
ADV
周期被执行。
4.
GW
为高。
5.返回到回读可通过两种控制
ADSP
or
ADSC
.
台湾记忆体技术,公司保留权利
改变产品或规格,恕不另行通知。
P. 16
出版日期:二月2000
修订: 0.A