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T35L6432B-10Q 参数 Datasheet PDF下载

T35L6432B-10Q图片预览
型号: T35L6432B-10Q
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内容描述: 64K ×32的SRAM [64K x 32 SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 163 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
引脚
TE
CH
T35L6432B
引脚说明
描述
地址:这些输入注册的,必须符合设置和
32-37, 44-49,
输入 -
保持时间周围CLK的上升沿。突发计数器
81, 82, 99, A0-A15
同步生成与A0和A1 ,在相关的内部地址
100,
突发周期和等待周期。
字节写操作:字节写为低表示写cyle为高电平
BW1
一个读周期。
BW1
控制DQ1 - DQ8 。
BW2
控制DQ9-
输入 -
BW2
93-96
DQ16.
BW3
控制DQ17 - DQ24 。
BW4
控制DQ25-
BW3
同步
DQ32 。数据I / O为高阻抗如果这两个输入都
BW4
低,通过调节
BWE
为低。
87
BWE
符号。
TYPE
写使能:此低电平输入门字节写操作
输入 -
且必须满足的建立和保持周围的上升沿时间
同步
CLK 。
全局写:此低电平输入允许一个完整的32位写入
输入 -
发生独立的
BWE
BWN
行,并且必须满足
同步
的建立和保持周围CLK的上升沿时间。
时钟:这个信号寄存器的地址,数据,芯片启用,
输入 -
writecontrol并在其上升沿脉冲串控制输入。所有
同步同步输入必须满足建立和保持周围的时代
时钟的上升沿。
同步芯片使能:此低电平输入用于启用
输入 -
设备和条件在内部使用的
ADSP
。该输入是
同步
只有当一个新的外部地址被装入取样。
同步芯片使能:此低电平输入用于启用
输入 -
该设备。这个输入被采样,只有当一个新的外部地址
同步
被加载。此输入可用于存储器深度扩展。
同步芯片使能:此高电平输入是用来启用
输入 -
该设备。这个输入被采样,只有当一个新的外部地址
同步
被加载。此输入可用于存储器深度扩展。
输入
输出使能:此低电平有效的异步输入使
数据输出驱动器。
88
GW
89
CLK
98
CE
92
CE2
97
CE2
86
OE
83
ADV
处理进展:该低电平输入,用于控制所述
输入 -
内部突发计数器。在这个引脚上产生等待周期
同步
(无地址提前) 。
地址状态处理器:此低电平输入,以及
CE
输入 -
为低电平时,将导致一个新的外部地址进行登记和
同步
读周期是使用新的地址发起的。
84
ADSP
台湾记忆体技术,公司保留权利
改变产品或规格,恕不另行通知。
P. 4
出版日期:七月2002年
修订版:A