tm
TE
CH
T431616D/E
所读取的数据出现在的DQ受上LDQM / UDQM输入两个时钟更早的值（即
LDQM / UDQM延迟两个时钟输出缓冲）。爆没有自动预充电功能的可读取
通过随后的读或中断写命令在年底前同一家银行或其他有效的银行
的突发长度。它可以由一个BankPrecharge / PrechargeAll命令被中断，以相同的银行太。该
中断从读命令之后到来之前的读取命令可以发生在任何时钟周期
（参见下图） 。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
命令
读了
阅读B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 1
TCK1 ， DQ的
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
阅读打断读
（突发长度= 4 ，CAS＃延迟= 1，2， 3）
该LDQM / UDQM投入使用，以避免对DQ引脚I / O争用时，中断来自
一个写命令。该LDQM / UDQM必须置位（高电平） ，至少先于写命令的两个时钟
抑制数据输出到DQ引脚。为了保证DQ引脚对I / O争用，与高一个周期
上的DQ管脚阻抗必须与上次读取数据和写命令之间发生（参照下面的
三个数字） 。如果发生突发写入的第二时钟读出的脉冲串的数据输出端，所述
LDQM / UDQM必须被置位（高电平）的至少一个时钟前的写命令，以避免内部总线
争。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
DQM
命令
NOP
读了
NOP
NOP
NOP
NOP
写B
NOP
NOP
DQ 'S
DOUT A0
必须是高阻前
写命令
DINB 0
DINB1
DI NB 2
： "H"或"L"
读取写入间隔
（突发长度
≥
4 ， CAS＃延迟= 3 ）
TM科技公司保留权利
P. 7
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：二月2007年
修订版：A
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
