tm
CLK
DQM
COM命令
TE
CH
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T431616D/E
T7
T8
1间隔的Clk
NOP
NOP
班卡
激活
NOP
读了
写一个
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 1
TCK1 ， DQ的
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
DIN A0
必须是高阻前
写命令
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
DIN A1
DIN A2
DIN A3
： "H"或"L"
读取写入间隔
（突发长度
≥
如图4所示， CAS＃延迟= 1 ，2）
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
DQM
COMM和
NOP
NOP
读了
NOP
NOP
写B
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 1
TCK1 ， DQ的
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
DOUT A0
DIN B0
必须是高阻前
写命令
DIN B0
DIN B 1
DIN B2
DIN B3
DIN B 1
DIN B2
DIN B3
： "H"或"L"
读取写入间隔
（突发长度
≥
如图4所示， CAS＃延迟= 1 ，2）
爆没有自动预充电功能的读取可以通过BankPrecharge / PrechargeAll被打断
命令相同的银行。下图显示的最佳时间， BankPrecharge / PrechargeAll
命令在不同的CAS ＃延迟发出。
T0
CLK
银行，
柱A
银行，
ROW
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
ADDR ESS
BANK （S ）
t
RP
COM米，
读了
NOP
NOP
NOP
预充电
NOP
NOP
AC tivate
NOP
CAS ＃延迟= 1
TCK1 ， DQ的
CAS ＃ LA tency = 2
吨CK2 ， DQ的
CAS ＃ LA tency = 3
吨CK3 ， DQ的
DOUT A 0
DOUT A 1
DOUT A 2
DOUT A 3
DOUT A 0
DOUT A 1
DOUT A 2
DOUT A 3
DOUT A 0
DOUT A 1
DOUT A 2
DOUT A 3
阅读到预充电
（ CAS＃延迟= 1，2， 3）
TM科技公司保留权利
P. 8
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：二月2007年
修订版：A
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
