tm
符号
CLK
CKE
TE
CH
T431616D/E
描述
时钟：
CLK是系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号进行采样，在正
CLK的边缘。 CLK也递增内部突发计数器和控制输出寄存器。
时钟使能：
CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ） CLK信号。如果CKE变低
同步于时钟（设置和保持时间相同其它输入），内部时钟
悬挂在下一时钟周期和输出的状态，并且只要脉冲串地址被冻结
在CKE仍然很低。当两个银行是在闲置状态下，去激活所述时钟控制
进入掉电和自刷新模式。 CKE是同步的，除了设备后，
进入掉电和自刷新模式，在CKE变成异步的，直到退出
同样的模式。在掉电和自刷新输入缓冲区，包括CLK ，被禁用
模式，提供低待机功耗。
银行选择：
A11 （ BS）定义了该银行的BankActivate ，读，写，或BankPrecharge
命令被应用。
地址输入：
A0 - A10是在BankActivate指令周期内采样（行地址A0- A10 ）
和读/写命令（列地址A0- A7与A10定义自动预充电）选择
一个位置出了256K的在各个银行提供。在预充电命令， A10
进行采样以确定两个银行是被预充电（A10 =高） 。地址输入也
一个模式寄存器设置命令时提供的操作码。
片选：
CS ＃使（采样为低电平）和禁用（采样HIGH ）命令解码器。
当CS ＃被采样到高的所有命令被屏蔽。 CS＃为外部银行的选择
在与多家银行系统。它被认为是命令代码的一部分。
行地址选通：
在RAS ＃信号定义结合的操作命令与
CAS ＃和WE ＃信号被锁定在CLK的上升沿。当RAS ＃和CS ＃是
断言"LOW"和CAS ＃是断言"HIGH ， "要么BankActivate命令或
预充电命令被选中的WE ＃信号。当WE＃为有效"HIGH ， "的
BankActivate命令被选中，由BS指定的银行接通时为有效状态。
当WE＃被断言"LOW ， "的预充电命令被选择和存储体指定由
BS被预充电操作之后，切换到空闲状态。
列地址选通：
在CAS ＃信号定义与配合操作命令
在RAS ＃和WE＃信号，并锁存于CLK的上升沿。当RAS ＃举行
"HIGH"和CS ＃是断言"LOW ， "列的访问是通过断言CAS ＃ "LOW."开始
然后，读或写命令被选中WE＃置"LOW"或"HIGH."
写使能：
WE＃信号定义一起使用时的动作指令与RAS ＃
和CAS ＃信号被锁定在CLK的上升沿。在WE ＃输入被用来选择
BankActivate或预充电命令和读或写命令。
数据输入/输出面膜：
LDQM和UDQM是字节具体的，非持久的I / O缓冲区
控制。在I / O缓冲区被放置在一个高阻抗状态，当LDQM / UDQM采样为高电平。
当LDQM / UDQM是在写周期采样到高电平的输入数据被屏蔽。输出数据是
蒙面（双时钟延迟），当LDQM / UDQM是在一个读周期采样为高。 UDQM
口罩DQ15 - DQ8和LDQM口罩DQ7 - DQ0 。
在I / O是字节屏蔽期间读取和写入。
无连接：
这些引脚悬空。
DQ功率：
提供隔离电源的DQ为提高抗干扰能力。 （ 3.3V
±
0.3V )
DQ地：
提供隔离地面的DQ为提高抗干扰能力。 （0 V）的
电源：
+3.3V
±
0.3V
地
引脚说明（
表1. T431616D / E的引脚的详细信息）
TYPE
输入
输入
A11
A0-A10
输入
输入
CS ＃
输入
RAS ＃
输入
CAS ＃
输入
WE＃
输入
LDQM ，
UDQM
输入
DQ0-DQ15
NC
V
DDQ
V
SSQ
V
DD
V
SS
输入/输出
数据I / O ：
该DQ0-15的输入和输出数据与CLK的上升沿同步。
-
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P. 4
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出版日期：二月2007年
修订版：A
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
