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T436416D-7CG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: T436416D-7CG
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内容描述: 4M ×16 SDRAM 1M X 16位X 4Banks同步DRAM [4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 73 页 / 710 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
CLK
命令
TE
CH
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T436416D
T7
T8
NOP
写一个
阅读B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS #延迟= 2
TCK2 , DQ的
CAS#延迟= 3
tCK3 , DQ的
DIN A0
不关心
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DIN A0
不关心
不关心
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
输入数据的写入被屏蔽。
输入数据必须从DQ的至少一个时钟被删除
循环读取数据之前出现在输出端,以避免
数据争用。
写了一个读取中断
(突发长度= 4 , CAS#延迟= 2 , 3 )
该BankPrecharge / PrechargeAll命令中断写突发无自动预充电
应该发出功能
m
在这最后一个数据项的元素被登记在时钟沿之后的周期,其中
m
等于吨
WR
/t
CK
向上舍入到下一个整数。此外, DQM信号必须被用于掩盖输入
数据,从时钟边沿之后的最后的数据的元件,并与该时钟边沿结束上
在BankPrecharge / PrechargeAll输入命令(参见下图) 。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
DQM
激进党
COM命令
NOP
预充电
NOP
NOP
激活
NOP
地址
BA N·K
COL ñ
DIN
n
二正
n+ 1
BANK (S )
tWR的
ROW
DQ
:无所谓
注意:
该DQMs可以保持低在本例中,如果的写入脉冲串的长度是1或2 。
写入预充电
7
写和AutoPrecharge命令( RAS # = "H" , CAS# = "L" , WE# = "L" ,BAS =银行, A10 = "H" , A0 -A7
=列地址)
写后写和AutoPrecharge命令自动执行预充电操作
操作。一旦该命令被给出,任何随后的命令可以在一个时间延迟不会发生
{ (爆
长度-1) +吨
WR
+ t
RP
(分) } 。在整页突发,在该命令并且仅执行写入操作
自动预充电功能被忽略。
TM科技公司保留权利
P. 10
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:二月2007年
修订版:A