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T436416D-7CG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: T436416D-7CG
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内容描述: 4M ×16 SDRAM 1M X 16位X 4Banks同步DRAM [4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 73 页 / 710 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
6
TE
CH
T436416D
5阅读并AutoPrecharge命令
( RAS # = "H" , CAS# = "L" , WE# = "H" ,BAS =银行, A10 = "H" , A0 - A7 =列地址)
读取和AutoPrecharge命令会自动读取后进行预充电操作
操作。一旦该命令被给出,任何随后的命令可以在一个时间延迟不会发生
{t
RP
(分)
+突发长度} 。在整页突发,在该命令和自动预充电仅执行读取操作
功能被忽略。
写命令
( RAS # = "H" , CAS# = "L" , WE# = "L" ,BAS =银行, A10 = "L" , A0 - A7 =列地址)
写命令用于从一个活动行写上一阵连续的时钟周期数据
有效的银行。银行必须至少激活吨
RCD
Write指令之前(分钟)发出。在写
连发,第一个有效数据的元素将被注册暗合了写命令。随后的数据
元素将在每个连续的正时钟沿(参照下图)中注册。 DQS的
仍与高阻抗在脉冲串的末端,除非另一个命令被启动。突发长度和
脉冲串序列是由模式寄存器,它已被编程来确定。一个全页突发会
继续下去,直到结束(在页面的结尾会换到第0列,并继续) 。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
COM命令
NOP
写一个
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ0 - DQ3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
不关心
所述第一数据元和所述写
被登记在同一个时钟边缘。
额外的数据被屏蔽。
突发写操作
(突发长度= 4 ,CAS#延迟= 1,2, 3)
没有自动预充电功能的写突发可以通过后续的写入被中断,
BankPrecharge / PrechargeAll ,或突发长度结束前读命令。中断来自何处
写命令按照前面Write指令可以出现在任何时钟周期(参考下面的
图)。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
COM米,
NOP
写一个
写B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
1间隔的Clk
DQ 'S
DIN A0
DIN B0
DIN B 1
DIN B2
DIN B3
写是写中断
(突发长度= 4 ,CAS#延迟= 1,2, 3)
读命令是不中断的自动预充电功能的写突发,应发出一份
后,其中的最后的数据中元素被登记在时钟边沿周期。为了避免数据冲突,输入
数据必须从所述第一读数据之前的至少一个时钟周期出现在输出的DQ被删除
(参见下图) 。一旦读命令是记录的,数据输入将被忽略,并写入
将不被执行。
TM科技公司保留权利
P. 9
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:二月2007年
修订版:A