tm
CLK
命令
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
TE
CH
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T436416D
T8
读了
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
突发读取操作
（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 2 ， 3 ）
所读取的数据出现在的DQ受上DQM的值输入两个时钟早期（即DQM
延迟两个时钟输出缓冲）。爆没有自动预充电功能的读取可能会中断
通过随后的读或写命令到同一银行或其他银行的积极突发年底前
长度。它可以由一个BankPrecharge / PrechargeAll命令被中断，以相同的银行太。中断
从读命令来可以按照以前的读取命令发生在任何时钟周期（参见
如下图所示） 。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
命令
读了
阅读B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
阅读打断读
（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 2 ， 3 ）
在DQM投入使用，以避免对DQ引脚I / O争用时，中断来自写
命令。该DQMs必须置位（高电平）的至少前的写命令以抑制两个时钟
在DQ引脚的数据输出。为了保证DQ引脚对I / O争用，用高阻抗的单周期
到DQ管脚必须与上次读取数据和写命令之间发生（参照下面三个
数字） 。如果发生突发写入的第二时钟读出的脉冲串的数据输出端，所述DQMs必须
有效（高电平）的至少一个时钟前的写命令，以避免内部总线争用。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
DQM
命令
NOP
读了
NOP
NOP
NOP
NOP
写B
NOP
NOP
DQ 'S
DOUT A0
必须是高阻前
写COM
MAND
DINB 0
DINB1
DINB 2
： "H"或"L"
读取写入间隔
（突发长度
≥
4 ， CAS＃延迟= 3 ）
TM科技公司保留权利
P. 7
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：二月2007年
修订版：A
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
