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AH322-S8PCB900 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AH322-S8PCB900
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内容描述: 2W高线性度的InGaP HBT放大器 [2W High Linearity InGaP HBT Amplifier]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 8 页 / 446 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AH322
2W高线性度的InGaP HBT放大器
824 - 894 MHz的应用电路
25典型的RF性能
°
C
频率(MHz)
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
信道功率
(1)
( @ -55 dBc的IS- 95 CDMA ACPR )
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
mA
V
V
824
19.7
16
7
+33.0
+24.4
+23.7
+46.2
848
19.7
16
8
+33
+24.4
+23.7
+46.3
600
+5
+5
894
19.7
13
12
+32.6
+23.8
+23
+45.1
信道功率
输出IP3
(3)
(2)
( @ -50 dBc的WCDMA ACLR )
( 21 dBm的/音,间隔为1MHz )
静态电流,ICQ
VPD
(4)
VCC
注意事项:
1. ACPR测试设置: IS - 95 CDMA , 9个通道FWD , ± 750 KHz的偏移量, 30千赫, :测量体重, PAR = 9.7分贝
@ 0.01 %习题。
2. ACLR测试设置: 3GPP WCDMA , TM1 ± 64 DPCH , ± 5MHz的偏移量不剪裁, PAR = 10.34分贝@
0.01 %的概率。
3. OIP3的测量是在21 dBm的/音输出功率为1 MHz的间距。
4. VPD作为设备掉电电压(低= RF关闭
).
5. L 2的边缘被放置在265密耳的距离AH322 RFOUT销( 12 º @ 850兆赫)的边缘。
6. C2的边缘被放置在250密耳的距离AH322 RFOUT销(11 º @ 850兆赫)的边缘。
7. C8的边缘被放置在25密耳的距离AH322 RFOUT销( 1° @ 850兆赫)的边缘。
8.不要超过+ 5.5V电源供电或TVS二极管D3将受到损害。
9.零欧姆跳线可以被替换为在目标应用程序的布局的铜迹线。
10. DNP意味着执行不到位。
C8
L2
C5
小信号性能
20
19
摹AIN( D B )
18
17
16
15
800
0
-5
重恩RN 1。· SS ( D B )
-10
-15
-20
-25
900
ACLR ( DBC)
-30
-35
ACLR与输出功率
3GPP WCDMA , TM1 + 64DPCH , ± 5MHz的频率偏移。 , PAR = 10.34 %@习题。
824兆赫
848兆赫
894兆赫
-40
-45
-50
-55
-60
20
21
22
23
24
输出功率(dBm )
25
26
收益
S11
S22
820
840
860
频率(MHz)
880
ACPR与输出功率
IS-95 CDMA中, 9 CH 。 FWD 。 , ± 750 KHz的频率偏移, PAR = 9.7分贝@ 0.01 %习题
.
OIP3与输出功率
1MHz的间距, 25℃
-40
-45
ACPR ( DBC)
-50
-55
-60
-65
-70
20
21
22
23
24
输出功率(dBm )
25
26
824兆赫
848兆赫
894兆赫
50
47
OIP3 ( dBm的)
44
41
824兆赫
848兆赫
894兆赫
38
35
18
19
20
21
22
23
24
输出功率/音( DBM)
25
26
.
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2009年4月