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AH322-S8PCB900 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AH322-S8PCB900
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内容描述: 2W高线性度的InGaP HBT放大器 [2W High Linearity InGaP HBT Amplifier]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 8 页 / 446 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AH322
2W高线性度的InGaP HBT放大器
920 - 960 MHz的应用电路( AH322 - S8PCB900 )
25典型的RF性能
°
C
频率(MHz)
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
信道功率
(1)
( @ -55 dBc的IS- 95 CDMA ACPR )
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
mA
V
V
920
19.2
16.6
7.8
+33
+24.3
+23.5
+47.3
8.2
940
19.4
18
8.5
+33
+24.4
+23.6
+47.6
8.5
600
+5
+5
960
19.2
15.3
9.4
+33
+24.3
+23.5
+47.2
9
信道功率
(2)
( @ -50 dBc的WCDMA ACLR )
输出IP3
(3)
( 21 dBm的/音,间隔为1MHz )
噪声系数
静态电流,ICQ
VPD
(4)
VCC
注意事项:
1. ACPR测试设置: IS - 95 CDMA , 9个通道FWD , ± 885 KHz的偏移量, 30千赫, :测量体重, PAR = 9.7分贝
@ 0.01 %习题。
2. ACLR测试设置: 3GPP WCDMA , TM1 ± 64 DPCH , ± 5MHz的偏移量不剪裁, PAR = 10.34分贝@
0.01 %的概率。
3. OIP3的测量是在21 dBm的/音输出功率为1 MHz的间距。
4. VPD作为设备掉电电压(低= RF关闭) 。
5. L2的边缘被从AH322 RFOUT销的边缘放置在380密耳( 19 º @ 940兆赫)
6. C2的边缘被放置在190密耳的距离AH322 RFOUT销( 9.5 º @ 940兆赫)的边缘。
7.不要超过+ 5.5V电源供电或TVS二极管D3将受到损害。
8. 0跳线可以被替换为在目标应用程序的布局的铜迹线。
9. DNP意味着执行不到位。
小信号性能
25 C
C8
L2
C5
ACLR与信道功率
3GPP WCDMA , TM1 ± 64DPCH , ± 5MHz的偏移, 940兆赫
ACLR与信道功率
3GPP WCDMA , TM1 ± 64DPCH , ± 5MHz的偏移量, 25℃
20
19
摹AIN( D B )
18
S21
S11
S22
0
-5
ř ETU RN 1。· SS (分贝)
-10
-15
-20
-25
960
-30
-35
ACLR (DB M)
-40
-45
-50
-55
-60
17
18
19 20 21 22 23 24 25
输出信道功率(dBm )
26
27
+25C
-40C
+85C
-30
-35
ACLR ( DBC)
-40
-45
-50
-55
-60
17
18 19 20 21 22 23 24 25
输出信道功率(dBm )
26 27
920兆赫
940兆赫
960兆赫
17
16
15
920
930
940
频率(MHz)
950
ACPR与信道功率
IS- 95CDMA , 9章。 FWD, ± 885 kHz偏置, 30千赫:测量体重, 940兆赫
ACPR与信道功率
IS- 95CDMA , 9章。 FWD, ± 885 kHz偏置, 30千赫:测量体重, 25℃
增益与噘与温度
频率。 = 940兆赫
-40
-45
-50
ACPR ( DBC)
-55
-60
-65
-70
-75
-80
17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27
输出信道功率(dBm )
+25C
-40C
+85C
-40
-45
-50
ACPR ( DBC)
-55
-60
-65
-70
-75
-80
17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27
输出信道功率(dBm )
920兆赫
940兆赫
960兆赫
21
20
G A IN( D B )
19
18
17
25C
-40C
+85C
16
15
27
28
29
30
31
的Pout ( dBm的)
32
33
34
.
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2009年4月