T1G4005528-FS
特定网络阳离子
绝对最大额定值
符号
V
+
V
-
I
|I
G
|
P
D
T
CH
BV
OSX
参数
正电源的价值
1
负电源电压范围
正电源电流
1
门电源电流
功耗
1
工作通道温度
1
击穿电压
55W ， 28V ， DC - 3.5GHz的，氮化镓射频功率晶体管
价值
28 V
- 10 V至0 V
4.5 A
百毫安
61 W
213 °C
85 V
注意事项：
1
Absolute maximum ratings at 3 GHz.
2
绝对最大额定值是基于行业树立推荐
standard mean time to failure (MTTF) greater than 1M hours while
operating at a maximum case temperature of 85C . Operating at lower
最高温度的情况下最大允许工作电压
be increased up to a maximum of 40V. Application specific limits for
工作电压，正电源电流和功率耗散能
与来自TriQuint的工程指导来确定。
电气规格
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
A
=25
°
C
DC特性
特征
击穿电压漏源
门静态电压
栅极阈值电压
饱和漏极电流
符号
BV
DSX
V
GS （ Q）
V
GS （ TH）
I
DSX
民
85
典型值
120
-3.5
-4.5
16
最大
单位
V
V
V
A
条件
V
GS
= -8 V，I
D
= 10毫安
V
DS
= 28 V ;我
DQ
= 0.8 A
V
DS
= 10 V ;我
D
= 40毫安
V
DS
= 5 V; V
GS
= 0 V
射频特性
特征
符号
民
典型值
17.3
51.3
59.0
57.6
16.3
17.6
55.0
62.1
60.7
16.6
最大
单位
dB
W
%
%
dB
dB
W
%
%
dB
在3.0千兆赫（负载牵引性能V
DS
= 28 V，I
DQ
= 200毫安;脉：为100μs ， 20 ％ ）
线性增益
G
LIN
1 dB增益压缩输出功率
P
1dB
Drain Efficiency at 1 dB Gain Compression
DE
1dB
Power-Added Efficiency at 1 dB Gain Compression
PAE
1dB
增益1dB压缩
G
1dB
在3.5千兆赫（负载牵引性能V
DS
= 28 V，I
DQ
= 200毫安;脉：为100μs ， 20 ％ ）
线性增益
G
LIN
1 dB增益压缩输出功率
P
1dB
Drain Efficiency at 1 dB Gain Compression
DE
1dB
Power-Added Efficiency at 1 dB Gain Compression
PAE
1dB
增益1dB压缩
G
1dB
在3.0 〜3.5 GHz的评估和演示3.3 GHz的性能。董事会（V
DS
= 28 V，I
DQ
= 200毫安;脉冲： 100微秒，20％）
14.0
15.1
dB
线性增益
G
LIN
55.0
65.6
W
输出功率
P
3dB
50.0
52.5
%
Drain Efficiency at 3 dB Gain Compression
DE
3dB
45.0
49.3
%
Power-Added Efficiency at 3 dB Gain Compression
PAE
3dB
11.0
12.1
dB
增益3分贝压缩
G
3dB
在3.5 GHz频段（窄带性能V
DS
= 28 V，I
DQ
= 200毫安，在CW的P1dB ，适用于3.5秒）
VSWR
10:1
阻抗不匹配耐用
3
注意：
3
VSWR testing performed with increasing real impedance value only from reference Z to 10 times reference Z.
数据表：修订版D 2011/8/10
© 2011 TriQuint半导体
–2–
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