T1G6001528-Q3
DC - 6 GHz的18瓦的GaN RF功率晶体管
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
漏极电压， Vd的
栅极电压Vg的
漏极至栅极电压Vd的 - Vg的
漏电流，身份证
栅极电流，免疫球蛋白
功耗， PDISS
RF输入功率， CW ， T = 25℃
通道温度，总胆固醇
安装温度（ 30
秒）
储存温度
推荐工作条件
参数
Vd
IDQ
Id_drive （ RF下
驱动器）
Vg
通道
温度，总胆固醇
等级
+40 V
-50至0 V
80 V
1.5 A
-25 25 mA的
26 W
37 dBm的
250
o
C
260
o
C
-40至150
o
C
民
典型
28
50
1400
-3.7
最大单位
30
V
mA
mA
V
200
o
C
电气规格是在特定试验条件下测得的。
规格不能保证在所有推荐工作
条件。
在3 GHz的绝对最大额定值。
本装置的操作中给出的参数范围以外
上面可能会造成永久性的损害。这些都是强调
只有收视率，以及该设备的这些功能操作
条件是不是暗示。
电气规格
试验条件除非另有说明： 25 ºC ，
VD = 28 V ， IDQ = 50 mA时， V G = -3.7 V（典型）
.
射频特性
符号
民
典型值
15.0
20.0
60
56
12.5
11.5
19.0
60
52
8.5
9.5
21.0
58
45
6.5
最大单位
dB
W
%
%
dB
dB
W
%
%
dB
dB
W
%
%
dB
10:1
在3千兆赫（负载牵引性能V
DS
= 28V ，我
DQ
= 50mA时CW）
线性增益
G
LIN
3 dB增益压缩输出功率
P
3dB
漏极效率为3 dB增益压缩
DE
3dB
3 dB增益压缩功率附加效率
PAE
3dB
增益为3 1dB压缩
G
3dB
在6 GHz （负载牵引性能V
DS
= 28V ，我
DQ
= 50mA时CW）
线性增益
G
LIN
3 dB增益压缩输出功率
P
3dB
漏极效率为3 dB增益压缩
DE
3dB
3 dB增益压缩功率附加效率
PAE
3dB
增益为3 1dB压缩
G
3dB
在5-6 GHz的灯具5.4千兆赫（性能V
DS
= 28V ，我
DQ
= 50mA时脉： 100μs的20 ％ ）
线性增益
G
LIN
9.0
3 dB增益压缩输出功率
P
3dB
17.8
漏极效率为3 dB增益压缩
DE
3dB
50
3 dB增益压缩功率附加效率
PAE
3dB
40
增益为3 1dB压缩
G
3dB
6.0
在3.5 GHz的窄带性能（
V
DS
= 28V ，我
DQ
= 50毫安
，在CW的P1dB ，适用于3.5秒）
阻抗不匹配耐用
VSWR
注： VSWR测试进行随实际阻抗值仅从参考Z到10次引用Z.
初步数据表：版本 - 一个2011年6月14日
© 2011 TriQuint半导体
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