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初步数据表
2.488Gb / s的1点32分的SONET / SDH多路分离器
VSC8132
去耦的电源是在保持部件的正常运行的关键因素。这是
建议在V
CC
电源使用的是0.1脱钩
µ
F和0.01
µ
F的电容并联放置
每个V
CC
电源管脚作为靠近封装成为可能。如果房证， 0.001
µ
F的电容应
也可放置在平行于0.1
µ
F和0.01
µ
˚F电容上面提到的。推荐电容
低电感陶瓷表面贴装X7R设备。对于0.1
µ
F的电容，应使用一0603包。该
0.01
µ
F和0.001
µ
˚F电容器可以是0603或0402的包。
对于低频去耦， 47
µ
？F的钽，低电感SMT帽应撒在
审计委员会的主要的+ 3.3V电源，放置在靠近CLC π型滤波器。
如果该设备正在使用中的ECL环境具有-3.3V电源，去耦V的所有引用
CC
必须改变到V
EE
和去耦3.3V的所有引用必须改变，以-3.3V 。
AC特性
图2 ：输出时序
t
PD1
t
PD2
78MHz的CLK
78MHz的数据
同步脉冲
奇偶
图3 ：数据输出时序
t
SERSU
DI +
差分串行数据输入
t
SERHO
D0
最低位
时间
CLKI +
差分时钟输入
D31
最高位
注：收到第一个31位（ MSB ） ，位0 （ LSB ）是最后接收。
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G52250-0 ，版本3.1
12/7/00
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