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VG36641641DT 参数 Datasheet PDF下载

VG36641641DT图片预览
型号: VG36641641DT
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内容描述: CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 69 页 / 1363 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
2.4行动指令表(注1 )
HCurrent状态CS
空闲
H
L
L
L
L
L
L
L
行活动
H
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
RAS CAS WE
X
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
H
H
L
L
L
L
X
H
L
L
H
H
L
L
X
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L
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L
X
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H
L
L
H
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L
X
H
H
L
L
H
H
L
L
X
X
H
L
H
L
H
L
X
X
H
L
H
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
H
L
X
X
BA , CA, A10
BA , CA, A10
BR , RA
BA , A10
X
操作码
X
X
BA , CA, A10
BA , CA, A10
BA , RA
BA , A10
X
操作码
X
X
X
BA , CA, A10
BA , CA, A10
BA , RA
BA , A10
X
操作码
X
X
X
BA , CA, A10
BA , CA, A10
BA , RA
BA , A10
X
操作码
地址
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS同步动态RAM
(1/3)
命令
DESL
NOP或BST
读/ READA
WRIT / WRITA
法案
PRE / PALL
REF / SELF
MPS
DESL
NOP或BST
读/ READA
WRIT / WRITA
法案
PRE / PALL
REF / SELF
太太
DESL
NOP
BST
读/ READA
WRIT / WRITA
法案
PRE / PALL
REF / SELF
太太
DESL
NOP
BST
读/ READA
WRIT / WRITA
法案
PRE / PALL
REF / SELF
太太
行动
NOP或掉电
NOP或掉电
违法
违法
行活动
NOP
刷新或自刷新
模式寄存器的访问
NOP
NOP
开始读:确定AP
开始写:确定AP
违法
预充电
违法
违法
继续爆结束
继续爆结束
突发停止
5
5
3
6
4
笔记
2
2
3
3
行活动
行活动
7
7,8
3
行活动
长期的破灭,新的读:确定AP
长期破灭,开始写:确定AP
违法
长期突发,预充电
违法
违法
继续爆结束
继续爆结束
突发停止
写复苏
写复苏
7,8
7
3
9
行活动
长期破灭,开始读:确定AP
长期的破灭,新的写:确定AP
违法
长期突发,预充电
违法
违法
文档: 1G5-0177
Rev.2
第11页