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    VG36641641DT 参数 Datasheet PDF下载

    VG36641641DT图片预览
    型号： VG36641641DT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 69 页 / 1363 K
    品牌： VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号VG36641641DT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VG36641641DT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号VG36641641DT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号VG36641641DT的Datasheet PDF文件第9页浏览型号VG36641641DT的Datasheet PDF文件第11页浏览型号VG36641641DT的Datasheet PDF文件第12页浏览型号VG36641641DT的Datasheet PDF文件第13页浏览型号VG36641641DT的Datasheet PDF文件第14页  
    VIS
    2.Truth表
    命令2.1真值表
    功能
    设备取消
    无操作
    模式寄存器设置
    银行激活
    读
    阅读与自动预充电
    写
    写带自动预充电
    预充电选择银行
    预充电所有银行
    突发停止
    CBR （自动）刷新
    自刷新
    符号
    DESL
    NOP
    太太
    法案
    读
    READA
    WRIT
    WRITA
    PRE
    PALL
    BST
    REF
    自
    CKE
    n-1
    H
    H
    H
    H
    H
    H
    H
    H
    H
    H
    H
    H
    H
    n
    VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
    CMOS同步动态RAM
    CS
    H
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    RAS
    X
    H
    L
    L
    H
    H
    H
    H
    L
    L
    H
    L
    L
    CAS
    X
    H
    L
    H
    L
    L
    L
    L
    H
    H
    H
    L
    L
    WE
    X
    H
    L
    H
    H
    H
    L
    L
    L
    L
    L
    H
    H
    BA
    X
    X
    L
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    X
    X
    X
    X
    A10
    X
    X
    L
    V
    L
    H
    L
    H
    L
    H
    X
    X
    X
    A11
    A9 - A0
    X
    X
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    H
    L
    2.2 DQM真值表
    CKE
    功能
    数据写入/输出使能
    数据面膜/输出禁止
    符号
    ENB
    面膜
    n-1
    H
    H
    n-1
    X
    X
    L
    H
    DQM
    2.3 CKE真值表
    CKE
    当前状态
    激活
    任何
    时钟暂停
    空闲
    空闲
    自刷新
    空闲
    掉电
    功能
    时钟挂起模式进入
    时钟暂停
    时钟挂起模式退出
    CBR刷新命令
    自刷新进入
    自刷新退出
    断电进入
    掉电退出
    REF
    自
    符号
    n-1
    H
    L
    L
    H
    H
    L
    L
    H
    L
    n
    L
    L
    H
    H
    L
    H
    H
    L
    H
    CS
    X
    X
    X
    L
    L
    L
    H
    X
    X
    RAS
    X
    X
    X
    L
    L
    H
    X
    X
    X
    CAS
    X
    X
    X
    L
    L
    H
    X
    X
    X
    WE
    X
    X
    X
    H
    H
    H
    X
    X
    X
    添加 -
    RESS
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    H：高电平，L ：低电平
    X：高或低的水平（无所谓） ，V ：有效数据输入
    文档： 1G5-0177
    Rev.2
    第10页

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