VIS
参数
工作电流
符号
I
CC1
测试条件
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS同步动态RAM
直流特性1
（大= 0 〜 70 ° C，V
DD
= V
DDQ
= 3.3
±
0.3V, V
SS
= V
SSQ
= 0V时，输出继电器打开，除非另有说明）
组织
x4
x8
x16
x4/x8/x16
x4/x8/x16
x4/x8/x16
-6
-
-
95
限制（最大）
-7
-7L
75
75
75
75
85
85
2
1
20
mA
-8H
70
70
80
单位注
一个活跃的银行
t
RC
= t
RC （分钟）
, t
CLK
= t
CLK （分钟）
,
BL = 1， CL = 3
mA
1, 2
预充电待机
I
CC2
P
CKE
≤
V
的IL （MAX） ，
t
CK
= 15ns的
目前在掉电
I
CC2
PS CKE
≤
V
白细胞介素（最大）
， CLK
≤
V
白细胞介素（最大）
模式
预充电待机
I
CC2
N
CKE
≥
V
CC
- 0.2V
CS
目前在非电力
CKE
t
CK
= 15ns的， CKE
≥
V
IH（分钟）
Down模式
I
CC2
NS
CKE
≥
V
CC
- 0.2V
CS
CLK
≤
V
的IL （MAX） ，
CKE
≥
V
IH（分钟）
CKE
V
所有的输入信号是稳定的。
CKE
mA
3
x4/x8/x16
x4/x8/x16
x4/x8/x16
x4/x8/x16
15
7
5
30
mA
当前待机模式电流I
CC3
P
在掉电模式
I
CC3
PS
当前待机模式电流I
CC3
N
在增设无功倒
模式
I
CC3
NS
≤
V
白细胞介素（最大）
, t
CK
= 10ns的
CKE
≤
V
白细胞介素（最大）
， CLK
≤
V
白细胞介素（最大）
CS
CKE
≥
V
CC
- 0.2V
CKE
t
CK
= 15ns的， CKE
≥
V
IH（分钟）
CKE
≥
V
CC
- 0.2V
CS
CLK
≤
V
的IL （MAX） ，
CKE
≥
V
IH（分钟）
CKE
V
所有的输入信号是稳定的。
所有银行都主动
t
CK
= t
CK （分钟）
，BL = 4， CL = 3
所有银行都主动
t
RC
= t
RC （分钟）
, t
CLK
= t
CLK （分钟）
CKE
mA
mA
3
x4/x8/x16
x4
x8
x16
x4/x8/x16
x4/x8/x16
-
-
130
150
90
90
100
130
25
90
90
100
130
1
0.5
70
70
80
110
mA
工作电流
（突发模式）
刷新当前
自刷新电流
笔记
I
CC4
mA
mA
mA
mA
4
5
I
CC5
I
CC6
≤
0.2V
1. I
CC（ MAX）的
被指定在输出开状态。
2. -6级仅适用于4MX16选项。
3.输入信号在30ns的一次改变。
4.普通版： VG366440 （一十六分之八十〇 ） 41DT
5.低功率版： VG366440 （十六分之八十） 41DTL
直流特性2
（大= 0 〜 70 ° C，V
DD
= V
DDQ
= 3.3
±
0.3V , V
SS
= V
SSQ
= 0V时，除非另有说明）
参数
输入漏电流（输入）
输出漏电流（ I / O引脚）
高电平输出电压
低电平输出电压
符号
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
测试条件
0
≤
V
IN
≤
V
DD （ MAX）
被测= 0V引脚不
0
≤
V
OUT
≤
V
DD （ MAX）
DQ ＃ H中 - Z. ，D
OUT
已禁用
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
民
-5
-5
2.4
0.4
最大
5
5
单位
uA
uA
V
V
文档： 1G5-0177
Rev.2
第6页
VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
