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W3H64M72E-ESI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: W3H64M72E-ESI
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内容描述: 64M X 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA多芯片封装 [64M x 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA Multi-Chip Package]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 30 页 / 942 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
W3H64M72E-XSBX
高级*
表 - 1球说明
(续)
地址输入:提供行地址为ACTIVE命令,列地址,自动预充电位
(A10 ),用于读/写命令,以选择一个位置在各行的存储器阵列的。 A10
取样在预充电命令决定是否预充电适用于一家银行( A10低,
银行通过BA2 - BA0选择)或所有银行( A10 HIGH )的地址输入也是一个LOAD期间提供操作码
模式命令。
数据输入/输出:双向数据总线
数据选通高字节:输出与读取数据,输入与源同步操作写入数据。边沿
与读取数据对齐,居中对齐与写入数据。当差分数据选通模式是UDQS #仅用于
通过LOAD MODE命令启用。
数据选通信号的低字节:输出与读取数据,输入与源同步操作写入数据。边沿
与读取数据对齐,居中对齐与写入数据。当差分数据选通模式是LDQS #仅用于
通过LOAD MODE命令启用。
电源: 1.8V ± 0.1V
DQ电源: 1.8V ± 0.1V 。该设备以提高抗噪性能上孤立
SSTL_18参考电压。
无连接:这些球应该被悬空。
将来使用;地址位A14和A15为未来的密度被保留。
A0-A12
输入
DQ0-71
UDQS , UDQS #
I / O
I / O
LDQS , LDQS #
V
CC
V
CCQ
V
REF
V
SS
NC
DNU
I / O
供应
供应
供应
供应
-
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怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2006年3月
第1版
5
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