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WED8L24514V15BI 参数 Datasheet PDF下载

WED8L24514V15BI图片预览
型号: WED8L24514V15BI
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内容描述: 异步SRAM , 3.3V , 512Kx24 [Asynchronous SRAM, 3.3V, 512Kx24]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 5 页 / 612 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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WED8L24514V
绝对最大额定值
建议的直流OPER阿婷条件
参数
符号
典型值
最大
单位
任何引脚相对于V电压
SS
-0.5V至4.6V
工作温T
A
(环境)
广告
0 ° C至+ 70°C
产业
-40 ° C至+ 85°C
储存温度
-55 ° C至+ 125°C
功耗
1.5瓦
输出电流。
50毫安
*压力大于下"Absolute最大Ratings" ,可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该器件在这些或任何其他条件更大的功能的操作
高于本规范的业务部门所标明不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
3.135
0
2.2
-0.3
3.3
0
3.465
0
V
CC
+0.3
0.8
V
V
V
V
图。 2
图。 3
VCC
Q
Z0
0
= 50Ω
Z = 50Ω
65 pF的
D
OUT
353Ω
319Ω
R
L
= 50Ω
AC测试条件
5 pF的
V
L
= 1.5V
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图2
注:对于T
EHQZ
,t
GHQZ
和T
WLQZ
图3
直流电AL CHAR Cucumis Sativus查阅全文
参数
符号
条件
10ns
最大
12 - 为15ns
单位
工作电源电流
待机( TTL )电源电流
全CMOS待机
电源电流
输入漏电流
输出漏电流
输出高Volltage
输出低电压
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
W = V
IL
, II / O = 0毫安,
闵周期
ê > V
IH
, V
IN
& LT ; V
IL
or
V
IN
& GT ; V
IH
, F = ØMHz
ê > V
CC
- 0.2V
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
& LT ; 0.2V
VIN = 0V至V
CC
V I / O = 0V至V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 4.0毫安
450
150
90
350
150
90
mA
mA
mA
±10
±10
2.4
0.4
±10
±10
0.4
µA
µA
V
V
T
RUTH
T
ABLE
G
E0
E2
E3
W
模式
产量
动力
X
H
L
L
L
L
X
X
X
X
H
L
L
L
H
H
L
L
H
H
H
L
L
H
L
H
L
H
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
X
H
H
H
H
H
L
L
L
L
待机
输出取消
阅读( 24位)
写( 24位)
高Z
高Z
D
OUT
DQ
0-7
DQ
8-15
DQ
16-23
D
IN
DQ
0-7
DQ
8-15
DQ
16-23
I
CC
2
,I
CC
3
I
CC
1
I
CC
1
I
CC
1
I
CC
1
I
CC
1
I
CC
1
I
CC
1
I
CC
1
I
CC
1
C
APACITANCE
(f=1.0MH
Z
, V
IN
=V
CC
参数
符号
OR
V
SS
)
最大
单位
地址线
数据线
写&输出使能线
芯片使能线
CA
CD / Q
W¯¯ ,G
E
Ø
, E
2
, E
3
8
10
8
8
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样,而不是100 %测试。
怀特电子设计公司•韦斯特伯鲁, MA • ( 508 ) 366-5151
2